Samsung разработала 12-слойную память HBM3E с рекордной ёмкостью — 36 Гбайт на стек

Сегмент памяти типа HBM сейчас развивается очень динамично, поскольку именно ею оснащаются востребованные рынком ускорители вычислений для систем искусственного интеллекта. Компания Samsung Electronics заявила о разработке первого в мире 12-ярусного стека HBM3E совокупной ёмкостью 36 Гбайт, который обеспечивает передачу информации со скоростью 1280 Гбайт/с. Источник изображения: Samsung Electronics
Источник: 3dnews.ru