Amerikaanse navorsers 'n geheuesel wat data opneem deur metaallae van drie atome dik meganies te verplaas. So 'n geheuesel beloof die hoogste opname digtheid en vereis 'n minimum van energie vir die implementering daarvan.
Die ontwikkeling is gerapporteer deur 'n gesamentlike groep wetenskaplikes van die SLAC-laboratorium by Stanford Universiteit, die Universiteit van Kalifornië in Berkeley en Texas A&M Universiteit. Data gepubliseer in die joernaal .
Die wetenskaplikes het 'n reeks eksperimente uitgevoer met stapels van 'n 2D-metaal genaamd wolfram-ditelluride. Elke laag 2D-metaal in die stapel was drie atome dik, wat 'n baie digte opname belowe in vergelyking met silikongeheue-selle. Eksperimente het aan die lig gebring dat 'n klein hoeveelheid energie wat op die stapel toegedien word, gly (verplasing) van elke vreemde laag in 'n stapel lae veroorsaak. Dit gebeur so vinnig dat die ontdekking kan lei tot die skepping van uiters hoëprestasie rekenaargeheue, wat inligting kan stoor sonder kragtoevoer (nie-vlugtig).
Opname van inligting (nul of een) vind plaas in die proses om 'n laag metaal in 'n stapel te verplaas. Laagverplasing veroorsaak veranderinge in die beweging van elektrone in die boonste en onderste lae van 2D-metale relatief tot die verplaasde laag. Om hierdie inligting te lees, stel wetenskaplikes voor om 'n kwantumeffek genaamd . Dit is 'n magnetiese vloed wat binne die materiaal gegenereer word, wat plaasvind wanneer gelaaide deeltjies binne die kristalrooster beweeg.
Te oordeel aan die beskrywing van die eksperiment, is geheue op verskuifbare lae in stapels 2D-metale 'n baie, baie verre vooruitsig. Maar die vooruitsig is baie aanloklik en belowe 100 keer vinniger data-opname vir langtermynberging. Langs die pad is daar baie eksperimente wat gemaak moet word en die beste kombinasie van materiale wat gekies moet word.
Bron:
Bron: 3dnews.ru