ለረጅም ግዜ ከ 3nm የሂደት ቴክኖሎጂ፣ ትራንዚስተሮች ከቋሚ "ፊን" FinFET ቻናሎች ወደ አግድም ናኖፔጅ ቻናሎች ሙሉ በሙሉ በጌት ወይም በጂኤኤ (በአሉ-ዙር) የተከበቡ እንደሚሄዱ ነው። ዛሬ የፈረንሣይ ኢንስቲትዩት ሲኢኤ-ሌቲ የፊንፌቲ ትራንዚስተር ማምረቻ ሂደቶች ባለብዙ ደረጃ GAA ትራንዚስተሮችን ለማምረት እንዴት ጥቅም ላይ እንደሚውሉ አሳይቷል። እና የቴክኒካዊ ሂደቶችን ቀጣይነት መጠበቅ ለፈጣን ለውጥ አስተማማኝ መሠረት ነው.
የ CEA-Leti ስፔሻሊስቶች ለVLSI ቴክኖሎጂ እና ወረዳዎች 2020 ሲምፖዚየም ስለ ሰባት ደረጃ GAA ትራንዚስተር ማምረት (ልዩ ምስጋና ለኮሮቫቫይረስ ወረርሽኝ ፣ ለዚህም ምስጋና ይግባቸውና የአቀራረብ ሰነዶች በመጨረሻ ወዲያውኑ መታየት የጀመሩ እና ከኮንፈረንስ በኋላ ከወራት በኋላ አይደለም)። የፈረንሣይ ተመራማሪዎች በስፋት ጥቅም ላይ የዋለውን RMG ሂደት (ምትክ የብረት በር ወይም በሩሲያኛ ምትክ (ጊዜያዊ) ብረትን በመጠቀም የ GAA ትራንዚስተሮችን ከቻናሎች ጋር በ nanopages መልክ ማምረት እንደሚችሉ አረጋግጠዋል ። በር)። በአንድ ወቅት የ RMG ቴክኒካል ሂደት የፊንፌት ትራንዚስተሮችን ለማምረት ተስተካክሎ ነበር እናም እንደምናየው የ GAA ትራንዚስተሮችን በባለብዙ ደረጃ የናኖፔጅ ቻናሎች አደረጃጀት ሊራዘም ይችላል።
ሳምሰንግ እስከምናውቀው ድረስ የ3-nm ቺፖችን ማምረት ሲጀምር ባለ ሁለት ደረጃ GAA ትራንዚስተሮች በሁለት ጠፍጣፋ ቻናሎች (nanopages) አንዱ ከሌላው በላይ የሚገኝ ሲሆን በሁሉም በኩል በበር ተከቦ ለመስራት አቅዷል። የ CEA-Leti ስፔሻሊስቶች ከሰባት ናኖፔጅ ቻናሎች ጋር ትራንዚስተሮችን ማምረት እንደሚቻል እና በተመሳሳይ ጊዜ ቻናሎቹን በሚፈለገው ስፋት ማዘጋጀት እንደሚቻል አሳይተዋል ። ለምሳሌ፣ የሙከራ GAA ትራንዚስተር ከሰባት ቻናሎች ጋር ከ15 nm እስከ 85 nm ስፋቶች ባላቸው ስሪቶች ተለቋል። ይህ ለትራንዚስተሮች ትክክለኛ ባህሪያትን እንዲያዘጋጁ እና ተደጋጋሚነታቸውን እንዲያረጋግጡ እንደሚፈቅድ ግልጽ ነው (የመለኪያዎችን ስርጭትን ይቀንሱ).
እንደ ፈረንሣይኛ ፣ በ GAA ትራንዚስተር ውስጥ የበለጠ የሰርጥ ደረጃዎች ፣ የአጠቃላይ ቻናሉ ውጤታማ ስፋት እና ፣ስለዚህ ፣ ትራንዚስተር በተሻለ ሁኔታ የመቆጣጠር ችሎታ። እንዲሁም፣ ባለብዙ ንብርብር መዋቅር ውስጥ አነስተኛ የፍሳሽ ፍሰት አለ። ለምሳሌ፣ የሰባት-ደረጃ GAA ትራንዚስተር ከሁለት-ደረጃ አንድ (በአንፃራዊነት እንደ ሳምሰንግ GAA) በሶስት እጥፍ ያነሰ የፍሳሽ ፍሰት አለው። ደህና፣ ኢንደስትሪው በመጨረሻ ከአግድም የንጥረ ነገሮች በቺፕ ላይ ወደ አቀባዊ አቀማመጥ በመሸጋገር የመውጣት መንገድ አግኝቷል። ይበልጥ ፈጣን፣ የበለጠ ኃይለኛ እና ሃይል ቆጣቢ ለመሆን የማይክሮ ሰርኩይትስ የክሪስቶችን አካባቢ መጨመር የማይኖርበት ይመስላል።
ምንጭ: 3dnews.ru