ሳምሰንግ እያንዳንዱን ናኖሜትር ይቆጥራል: ከ 7 nm, 6-, 5-, 4- እና 3-nm ሂደት ቴክኖሎጂዎች በኋላ ይሄዳሉ.

ዛሬ ሳምሰንግ ኤሌክትሮኒክስ ዘግቧል ሴሚኮንዳክተሮችን ለማምረት የቴክኒካዊ ሂደቶችን ስለማሳደግ እቅዶች. የባለቤትነት መብት በተሰጣቸው MBCFET ትራንዚስተሮች ላይ የተመሰረቱ የሙከራ 3-nm ቺፖችን ዲጂታል ፕሮጄክቶችን መፍጠር ዋናው የአሁኑ ስኬት እንደሆነ ኩባንያው ይቆጥራል። እነዚህ በርካታ አግድም ናኖፔጅ ቻናሎች ያላቸው ትራንዚስተሮች በቋሚ FET በሮች (ባለብዙ-ብሪጅ-ቻናል ኤፍኢቲ) ናቸው።

ከአይቢኤም ጋር በነበረው ጥምረት ሳምሰንግ ሙሉ በሙሉ በሮች (GAA ወይም Gate-All-Around) የተከበቡ ቻናሎች ያላቸውን ትራንዚስተሮች ለማምረት ትንሽ ለየት ያለ ቴክኖሎጂ ሠራ። ቻናሎቹ በ nanowires መልክ ቀጭን መደረግ ነበረባቸው። በመቀጠል፣ ሳምሰንግ ከዚህ እቅድ ወጥቶ በ nanopages መልክ ቻናሎች ያሉት ትራንዚስተር መዋቅር የፈጠራ ባለቤትነት ሰጠ። ይህ መዋቅር ሁለቱንም የገጾቹን ብዛት (ቻናል) በማቀናበር እና የገጾቹን ስፋት በማስተካከል የትራንስተሮችን ባህሪያት ለመቆጣጠር ያስችልዎታል። ለክላሲካል FET ቴክኖሎጂ, እንደዚህ አይነት መንቀሳቀስ የማይቻል ነው. የ FinFET ትራንዚስተር ኃይልን ለመጨመር በንጣፉ ላይ ያለውን የ FET ክንፎችን ቁጥር ማባዛት አስፈላጊ ነው, እና ይህ ቦታ ያስፈልገዋል. የ MBCFET ትራንዚስተር ባህሪያት በአንድ አካላዊ በር ውስጥ ሊለወጡ ይችላሉ, ለዚህም የሰርጦቹን ስፋት እና ቁጥራቸውን ማዘጋጀት ያስፈልግዎታል.

GAA ሂደትን በመጠቀም ለማምረት የፕሮቶታይፕ ቺፕ ዲጂታል ዲዛይን (የተለጠፈ) መገኘቱ ሳምሰንግ የ MBCFET ትራንዚስተሮችን አቅም ወሰን እንዲወስን አስችሎታል። ይህ አሁንም የኮምፒዩተር ሞዴሊንግ መረጃ መሆኑን እና አዲሱ ቴክኒካል ሂደት በመጨረሻ ሊፈረድበት የሚችለው በጅምላ ማምረት ከጀመረ በኋላ መሆኑን ከግምት ውስጥ ማስገባት ያስፈልጋል ። ሆኖም ግን, መነሻ ነጥብ አለ. ኩባንያው ከ 7nm ሂደት (የመጀመሪያው ትውልድ ግልጽ ነው) ወደ GAA ሂደት የሚደረገው ሽግግር 45% የሞት አከባቢን እና የፍጆታ ፍጆታ 50% ይቀንሳል. በፍጆታ ላይ ካላቆጠቡ ምርታማነት በ 35% ሊጨምር ይችላል. ከዚህ ቀደም ሳምሰንግ ወደ 3nm ሂደት ሲዘዋወር ቁጠባ እና ምርታማነትን አይቷል። ተዘርዝሯል። በነጠላ ሰረዝ ተለያይቷል። አንድም ሆነ ሌላ ሆነ።

ኩባንያው ለገለልተኛ ቺፕ ገንቢዎች እና ተረት አልባ ኩባንያዎች ይፋዊ የደመና መድረክ ማዘጋጀት የ3nm ሂደት ቴክኖሎጂን ለማስተዋወቅ ጠቃሚ ነጥብ አድርጎ ይወስደዋል። ሳምሰንግ የእድገት አካባቢን, የፕሮጀክት ማረጋገጫ እና ቤተ-መጻሕፍት በምርት አገልጋዮች ላይ አልደበቀም. የ SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem Cloud) መድረክ በዓለም ዙሪያ ላሉ ዲዛይነሮች ይገኛል። ደህንነቱ የተጠበቀ የደመና መድረክ የተፈጠረው እንደ Amazon Web Services (AWS) እና Microsoft Azure ባሉ ዋና የህዝብ የደመና አገልግሎቶች ተሳትፎ ነው። ከ Cadence እና Synopsys የንድፍ ስርአቶች ገንቢዎች የንድፍ መሳሪያዎቻቸውን በ SAFE ውስጥ አቅርበዋል። ይህ ለ Samsung ሂደቶች አዲስ መፍትሄዎችን ለመፍጠር ቀላል እና ርካሽ እንደሚያደርግ ቃል ገብቷል.

ወደ ሳምሰንግ 3nm ሂደት ቴክኖሎጂ ስንመለስ ኩባንያው የመጀመሪያውን የቺፕ ልማት ፓኬጁን - 3nm GAE PDK ስሪት 0.1 አቅርቧል። በእሱ እርዳታ የ 3nm መፍትሄዎችን ዛሬ ማዘጋጀት መጀመር ይችላሉ, ወይም ቢያንስ ይህን የሳምሰንግ ሂደትን በስፋት በሚሰራበት ጊዜ ለማሟላት ይዘጋጁ.

ሳምሰንግ የወደፊት እቅዶቹን እንደሚከተለው አሳውቋል። በዚህ አመት ሁለተኛ አጋማሽ የ 6nm ሂደትን በመጠቀም የቺፕስ በብዛት ማምረት ይጀምራል. በተመሳሳይ ጊዜ የ 4nm ሂደት ቴክኖሎጂ ልማት ይጠናቀቃል. የ 5nm ሂደትን በመጠቀም የመጀመሪያዎቹን የሳምሰንግ ምርቶች ልማት በዚህ ውድቀት ይጠናቀቃል ፣ በሚቀጥለው ዓመት የመጀመሪያ አጋማሽ ላይ ምርት ይጀምራል። እንዲሁም በዚህ አመት መጨረሻ ሳምሰንግ የ 18FDS ሂደት ቴክኖሎጂን (18 nm በ FD-SOI wafers) እና 1-Gbit eMRAM ቺፖችን ያጠናቅቃል። የሂደት ቴክኖሎጂዎች ከ 7 nm እስከ 3 nm የ EUV ስካነሮችን በከፍተኛ ጥንካሬ ይጠቀማሉ, ይህም እያንዳንዱን ናኖሜትር ይቆጥራል. በመውረድ ላይ ፣ እያንዳንዱ እርምጃ በትግል ይከናወናል ።

ምንጭ: 3dnews.ru