تواصل Samsung Electronics الغوص في تقنية معالجة فئة 10 نانومتر. هذه المرة ، بعد 16 شهرًا فقط من بدء الإنتاج الضخم لذاكرة DDR4 باستخدام تقنية معالجة الجيل الثاني من فئة 10 نانومتر (1 نانومتر) ، أكملت الشركة المصنعة الكورية الجنوبية تطوير رقائق ذاكرة DDR4 باستخدام الجيل الثالث من عملية فئة 10 نانومتر (1z) -nm). الأهم من ذلك ، أن تقنية المعالجة من فئة 10 نانومتر من الجيل الثالث لا تزال تستخدم ماسحات ضوئية ليثوغرافية 193 نانومتر ولا تعتمد على الماسحات الضوئية ذات الأشعة فوق البنفسجية المنخفضة. هذا يعني أن الانتقال إلى الإنتاج الضخم للذاكرة باستخدام أحدث تقنية معالجة 1z-nm سيكون سريعًا نسبيًا وبدون تكاليف مالية كبيرة لإعادة تجهيز الخطوط.
ستبدأ الشركة في الإنتاج الضخم لرقائق DDR8 بسعة 4 جيجا بايت باستخدام تقنية معالجة 1 نانومتر فئة 10z-nm في النصف الثاني من هذا العام. كما كان الحال منذ الانتقال إلى 20 نانومتر ، لا تكشف Samsung عن المواصفات الدقيقة للعملية. من المفترض أن تقنية الشركة 1x-nm 10-nm تتوافق مع معايير 18 نانومتر ، وتقنية المعالجة 1y-nm لمعايير 17 أو 16 نانومتر ، وأحدث عملية 1z-nm لمعايير 16 أو 15 نانومتر ، وربما حتى 13 نانومتر. على أي حال ، أدى الانخفاض في حجم العملية التقنية مرة أخرى إلى زيادة إنتاج البلورات من لوحة واحدة ، كما تعترف Samsung ، بنسبة 20 ٪. على المدى الطويل ، سيسمح هذا للشركة ببيع ذاكرة جديدة بسعر أرخص أو بهامش أفضل لنفسها ، حتى يحقق المنافسون نتيجة مماثلة في الإنتاج. إنه أمر مزعج بعض الشيء ، على الرغم من أن Samsung لم تكن قادرة على بناء يموت 1z-nm 16Gb DDR4. قد يشير هذا إلى توقع مستوى متزايد من العيوب في الإنتاج.
ستكون الشركة أول من يستخدم الجيل الثالث من تقنية المعالجة من فئة 10 نانومتر لإنتاج ذاكرة الخادم والذاكرة لأجهزة الكمبيوتر عالية الأداء. من الآن فصاعدًا ، سيتم تكييف تقنية المعالجة 1z-nm من فئة 10 نانومتر لإنتاج ذاكرة DDR5 و LPDDR5 و GDDR6. ستتمكن الخوادم والأجهزة المحمولة والرسومات من الاستفادة الكاملة من الذاكرة الأسرع والأقل استهلاكًا للطاقة ، بمساعدة التحول إلى معايير التصنيع الأقل سمكًا.
المصدر: 3dnews.ru