Армия США получила первую мобильную РЛС на полупроводниках из нитрида галлия
Переход с кремния на полупроводники с широкой запрещённой зоной (нитрид галлия, карбид кремния и другие) позволяет значительно поднять рабочие частоты и повысить эффективность решений. Поэтому одной из сфер перспективного применения широкозонных чипов и транзисторов является связь и радары. Электроника на GaN-решениях «на ровном месте» даёт прирост мощности и расширение дальности радаров, чем сразу же воспользовались […]
