Fransızlar sabahın yeddi səviyyəli GAA tranzistorunu təqdim etdilər
Heç kimə sirr deyil ki, 3nm proses texnologiyası ilə tranzistorlar şaquli “fin” FinFET kanallarından tamamilə qapılar və ya GAA (gate-all-around) ilə əhatə olunmuş üfüqi nano səhifə kanallarına keçəcəklər. Bu gün Fransanın CEA-Leti institutu FinFET tranzistor istehsal proseslərinin çoxsəviyyəli GAA tranzistorlarını istehsal etmək üçün necə istifadə oluna biləcəyini göstərdi. Texniki proseslərin davamlılığını qorumaq isə sürətli transformasiya üçün etibarlı əsasdır. VLSI Technology & Circuits Simpoziumu üçün [...]