Biz dəfələrlə qeyd etmişik ki, enerji təchizatı “bizim hər şeyimizə” çevrilir. Mobil elektronika, elektrik nəqliyyat vasitələri, əşyaların interneti, enerjinin saxlanması və daha çox şey enerji təchizatı və gərginliyin çevrilməsi prosesini elektronikada ilk ən vacib mövqelərə gətirir. kimi materiallardan istifadə etməklə çiplərin və diskret elementlərin istehsalı texnologiyası (QaN). Eyni zamanda, heç kim mübahisə etməyəcək ki, inteqrasiya olunmuş həllər həm həllərin kompaktlığı, həm də dizayn və istehsala qənaət baxımından diskretlərdən daha yaxşıdır. Bu yaxınlarda, PCIM 2019 konfransında Belçikanın Imec mərkəzinin tədqiqatçıları aydın şəkildə GaN-ə əsaslanan tək çipli enerji təchizatı (inverterlər) heç də elmi fantastika deyil, yaxın gələcəyin məsələsidir.
SOI (izolyatorda silikon) vaflilərində silikon texnologiyasında qallium nitridi istifadə edərək, Imec mütəxəssisləri tək çipli yarım körpü çevirici yaratdılar. Bu, gərginlik çeviriciləri yaratmaq üçün güc açarlarını (tranzistorlar) birləşdirən üç klassik variantdan biridir. Adətən bir dövrəni həyata keçirmək üçün diskret elementlər dəsti alınır. Müəyyən bir kompaktlığa nail olmaq üçün bir sıra elementlər də bir ümumi paketə yerləşdirilir ki, bu da dövrənin fərdi komponentlərdən yığılması faktını dəyişdirmir. Belçikalılar yarımkörpünün demək olar ki, bütün elementlərini bir kristal üzərində təkrar istehsal edə bildilər: tranzistorlar, kondansatörlər və rezistorlar. Həll adətən konversiya sxemlərini müşayiət edən bir sıra parazitar hadisələri azaltmaqla gərginliyin çevrilməsinin səmərəliliyini artırmağa imkan verdi.
Konfransda nümayiş etdirilən prototipdə inteqrasiya olunmuş GaN-IC çipi 48 voltluq giriş gərginliyini 1 MHz keçid tezliyi ilə 1 voltluq çıxış gərginliyinə çevirdi. Xüsusilə SOI vaflilərinin istifadəsini nəzərə alsaq, həll olduqca bahalı görünə bilər, lakin tədqiqatçılar vurğulayırlar ki, inteqrasiyanın yüksək dərəcəsi xərcləri ödəməkdən daha çox olur. Diskret komponentlərdən çeviricilərin istehsalı tərifinə görə daha bahalı olacaq.
Mənbə: 3dnews.ru