Смартфоны ўжо не першы год апярэджваюць наўтбукі і настольныя ПК па аб'ёме аператыўнай памяці на борце. Кампанія Samsung вырашыла яшчэ мацней павялічыць гэты разрыў. Для будучых апаратаў прэміяльнага класа яна 16-Гбайт чыпаў DRAM LPDDR5.
Новыя мікрасхемы памяці Samsung рэкорднай ёмістасці складаюцца з 12 складзеных у слупок крышталяў. Восем з іх маюць аб'ём па 12 Гбіт, а чатыры па 8 Гбіт. У суме выходзіць адна мікрасхема памяці аб'ёмам 16 Гбайт. Відавочна, што калі б усе крышталі ў стэку былі б па 12 Гбіт, то Samsung прадставіла б 18-Гбайт чып, што, верагодна, яна зробіць у агляднай будучыні.
Мікрасхема Samsung ёмістасцю 16 Гбайт выканана ў стандарце LPDDR5 з прапускной здольнасцю 5500 Мбіт/з па кожным кантакце шыны дадзеных. Гэта прыкладна ў 1,3 разы хутчэй, чым у выпадку мабільнай памяці LPDDR4X (4266 Мбіт/з). Калі параўноўваць з 8-Гбайт чыпам LPDDR4X (упакоўкай), то новая 16-Гбайт мікрасхема LPDDR5 на фоне двухразовага падваення аб'ёму і росты хуткасці забяспечвае 20-адсоткавую эканомію па спажыванні.
Адзначым, 16-Гбайт чып LPDDR5 сабраны з крышталяў памяці, выпушчаных з выкарыстаннем другога пакалення тэхпрацэсу класа 10 нм. У другой палове гэтага года на прадпрыемстве ў Паўднёвай Карэі Samsung абяцае прыступіць да масавага выпуску 16-Гбіт крышталяў LPDDR5 з выкарыстаннем трэцяга пакалення тэхпрацэсу класа 10 нм. Гэтыя крышталі будуць не толькі самымі ёмістымі, але таксама будуць хутчэйшымі з прапускной здольнасцю 6400 Мбіт/з на кантакт.
Сучасныя прэміяльныя смартфоны і смартфоны найблізкай будучыні, упэўненыя ў Samsung, не змогуць абыйсціся без вялікага аб'ёму аператыўнай памяці. «Разумная» фатаграфія з пашырэннем дынамічнага дыяпазону і іншымі «фішкамі», мабільныя гульні з узрушаючай графікай, віртуальная і дапоўненая рэальнасці ― усё гэта з падмацаваннем сеткамі 5G з павялічанай прапускной здольнасцю і, што важнейшае, з паменшанымі затрымкамі запатрабуе хутчэйшага росту памяці ў смартфонах, а не ў ПК.
Крыніца: 3dnews.ru