Кампанія Samsung на ўсю моц выкарыстоўвае перавагу першапраходцы паўправадніковай літаграфіі з ужываннем сканараў дыяпазону EUV. Пакуль TSMC рыхтуецца пачаць выкарыстоўваць сканары з даўжынёй хвалі 13,5 нм у чэрвені, адаптаваўшы іх для выпуску чыпаў у рамках другога пакалення тэхпрацэсу з нормамі 7 нм, Samsung апускаецца глыбей.
Хутка перайсці ад прапановы 7-нм тэхпрацэсу з EUV на вытворчасць 5-нм рашэнняў таксама з EUV кампаніі дапамагла тая акалічнасць, што Samsung захавала сумяшчальнасць праектных элементаў (IP), прылад праектавання і кантролю. Акрамя іншага гэта азначае, што кліенты кампаніі зэканомяць сродкі на набыццё сродкаў праектавання, тэсціравання і гатовых IP-блокаў. Наборы PDK для праектавання, метадалогія (DM, design methodologies) і платформы аўтаматычнага праектавання EDA сталі даступныя яшчэ ў рамках распрацоўкі чыпаў для 7-нм норм Samsung з EUV у чацвёртым квартале мінулага года. Усе гэтыя прылады забяспечаць распрацоўку лічбавых праектаў таксама для тэхпрацэсу 5 нм з транзістарамі FinFET.
У параўнанні з 7-нм тэхпрацэсам з выкарыстаннем сканараў EUV, які кампанія
Выпускам прадукцыі з выкарыстаннем сканараў EUV кампанія Samsung займаецца на заводзе S3 у горадзе Хвасон. У другой палове бягучага года кампанія завершыць будаўніцтва новай вытворчасці побач з Fab S3, якая будзе гатова выпускаць чыпы з выкарыстаннем EUV-тэхпрацэсаў у наступным годзе.
Крыніца: 3dnews.ru