Samsung распрацавала 12-слойную памяць HBM3E з рэкорднай ёмістасцю - 36 Гбайт на стэк

Сегмент памяти типа HBM сейчас развивается очень динамично, поскольку именно ею оснащаются востребованные рынком ускорители вычислений для систем искусственного интеллекта. Компания Samsung Electronics заявила о разработке первого в мире 12-ярусного стека HBM3E совокупной ёмкостью 36 Гбайт, который обеспечивает передачу информации со скоростью 1280 Гбайт/с. Источник изображения: Samsung Electronics
Крыніца: 3dnews.ru

Дадаць каментар