Кампанія Samsung Electronics працягвае апусканне ў тэхпрацэс класа 10 нм. Гэтым разам усяго праз 16 месяцаў пасля пачатку масавай вытворчасці памяці DDR4 з выкарыстаннем тэхпрацэсу другога пакалення 10-нм класа (1y-nm) паўднёвакарэйскі вытворца завяршыў распрацоўку крышталяў памяці DDR4 з выкарыстаннем трэцяга пакалення тэхпрацэсу класа 10 нм (1z-nm). Што важна, тэхпрацэс трэцяга пакалення 10-нм класа па-ранейшаму выкарыстоўвае 193-нм літаграфічныя сканары і не абапіраецца на малапрадукцыйныя пакуль сканары дыяпазону EUV. Гэта азначае, што пераход да масавага выпуску памяці з выкарыстаннем найноўшага тэхпрацэсу 1z-nm будзе параўнальна хуткім і без значных фінансавых выдаткаў на пераабсталяванне ліній.
Да масавай вытворчасці 8-Гбіт чыпаў DDR4 з выкарыстаннем тэхпрацэсу 1z-nm класа 10 нм кампанія прыступіць у другой палове бягучага года. Як гэта заведзена з этапу пераходу на 20-нм тэхпрацэс, Samsung не раскрывае дакладных спецыфікацый тэхпрацэсу. Мяркуецца, што тэхпрацэсу 1х-nm 10-нм класа кампаніі адпавядаюць нормы 18 нм, тэхпрацэсу 1y-nm ― 17- ці 16-нм нормы, а найноўшаму 1z-nm ― 16- ці 15-нм нормы, а можа быць нават да 13 нм. У любым выпадку зніжэнне маштабу тэхпрацэсу зноў павялічыла выхад крышталяў з адной пласціны, як прызнаюцца ў Samsung, - на 20%. У перспектыве гэта дазволіць кампаніі прадаваць новую памяць танней ці з лепшай для сябе нацэнкай, пакуль канкурэнты не даб'юцца ў вытворчасці падобнага выніку. Праўда, крыху насцярожвае тое, што Samsung не змагла стварыць 1z-nm 16-Гбіт крышталь DDR4. Гэта можа намякаць на чаканне павышанага ўзроўню шлюбу пры вытворчасці.
Першымі з выкарыстаннем трэцяга пакалення тэхпрацэсу 10-нм класа кампанія пачне выпускаць памяць сервернага прызначэння і памяць для прадукцыйных ПК. У далейшым тэхпрацэс 1z-nm 10-нм класа будзе прыстасаваны для вытворчасці памяці DDR5, LPDDR5 і GDDR6. Серверы, мабільныя прылады і графіка змогуць у поўнай меры выкарыстаць хутчэйшую і менш пражэрлівую да спажывання памяць, чаму будзе садзейнічаць пераход на больш тонкія нормы вытворчасці.
Крыніца: 3dnews.ru