Менш за год спатрэбілася кампаніі SK Hynix, каб перайсці ад этапу завяршэння памяці HBM2E да яе масавай вытворчасці. Але галоўнае нават не гэтая дзіўная аператыўнасць, а ўнікальныя хуткасныя характарыстыкі новых чыпаў HBM2E. Прапускная здольнасць мікрасхем HBM2E SK Hynix дасягае 460 Гбайт/з на кожную мікрасхему, што на 50 Гбайт/з перавышае ранейшыя паказчыкі.
Значны рывок прадукцыйнасці памяці тыпу HBM павінен адбыцца пры пераходзе на ці HBM3. Тады хуткасць абмену паднімецца да 820 Гбайт/з. Пакуль жа прабел будуць запаўняць чыпы кампаніі SK Hynix, хуткасць абмену па кожнай выснове якіх складае 3,6 Гбіт/з. Кожная такая мікрасхема збіраецца з васьмі крышталяў (пластоў). Калі ўлічыць, што ў кожным пласце размешчаны 16-Гбіт крышталь, то агульная ёмістасць новых мікрасхем складае 16 Гбайт.
Памяць з падобным спалучэннем характарыстык пачынае быць запатрабаванай і актуальнай для стварэння рашэнняў у сферы машыннага навучання і штучнага інтэлекту. Яна вырасла са сферы гульнявых відэакарт, дзе ў свой час атрымала старт дзякуючы відэакартам кампаніі AMD. Сёння галоўнае прызначэнне памяці HBM ― гэта высокапрадукцыйныя вылічэнні і ІІ.
"SK Hynix знаходзіцца ў авангардзе тэхналагічных інавацый, якія спрыяюць чалавечай цывілізацыі дзякуючы дасягненням, у тым ліку першай у свеце распрацоўцы прадуктаў HBM", ― сказаў Чонхун О (Jonghoon Oh), выканаўчы віцэ-прэзідэнт і дырэктар па маркетынгу (CMO) у SK Hynix . "Дзякуючы поўнамаштабнай серыйнай вытворчасці HBM2E мы працягнем умацоўваць сваю прысутнасць на рынку памяці прэміум-класа і ўзначалім чацвёртую прамысловую рэвалюцыю".
Крыніца:
Крыніца: 3dnews.ru