Сёння кампанія Samsung Electronics аб планах па развіццю тэхпрацэсаў для выпуску паўправаднікоў. Галоўным бягучым дасягненнем кампанія лічыць стварэнне лічбавых праектаў дасведчаных 3-нм чыпаў на аснове патэнтаваных транзістараў MBCFET. Гэта транзістары з мноствам гарызантальных нанастаронкавых каналаў у вертыкальных FET-затворах (Multi-Bridge-Channel FET).
У складзе альянсу з IBM кампанія Samsung распрацоўвала некалькі іншую тэхналогію вытворчасці транзістараў з каналамі цалкам акружанымі засаўкамі (GAA або Gate-All-Around). Каналы меркавалася рабіць тонкімі ў выглядзе нанаправодаў. Пасля Samsung адышла ад гэтай схемы і запатэнтавала структуру транзістараў з каналамі ў выглядзе нанастаронак. Такая структура дазваляе кіраваць характарыстыкамі транзістараў за кошт маніпуляцыі як лікам старонак (каналаў), так і рэгулюючы шырыню старонак. Для класічнай тэхналогіі FET падобны манеўр немагчымы. Каб павялічыць магутнасць FinFET-транзістара неабходна памнажаць лік FET-рэбраў на падкладцы, а гэта выдатак пляца. Характарыстыкі транзістара MBCFET можна змяняць у рамках адной фізічнай засаўкі, для чаго трэба задаць шырыню каналаў і іх колькасць.
Наяўнасць лічбавага праекта (taped out) дасведчанага чыпа для выпуску з выкарыстаннем тэхпрацэсу GAA дазволіла Samsung вызначыць межы магчымасцяў транзістараў MBCFET. Варта ўлічваць, што гэта пакуль дадзеныя кампутарнага мадэлявання і канчаткова аб новым тэхпрацэсе можна будзе меркаваць толькі пасля запуску яго ў масавую вытворчасць. Тым не менш, кропка адліку ёсць. У кампаніі паведамілі, што пераход ад 7-нм тэхпрацэсу (відавочна, першага пакалення) на тэхпрацэс GAA забяспечыць скарачэнне плошчы крышталя на 45% і зніжэнне спажывання на 50%. Калі не эканоміць на спажыванні, то прадукцыйнасць можна павялічыць на 35%. Раней Samsung эканомію і рост прадукцыйнасці пры пераходзе на 3-нм тэхпрацэс праз коску. Аказалася ўсё ж такі, ці адно, ці другое.
Важным момантам для папулярызацыі 3-нм тэхпрацэсу кампанія лічыць падрыхтоўку агульнадаступнай хмарнай платформы для незалежных распрацоўшчыкаў чыпаў і бесфабрычных кампаній. У Samsung не сталі хаваць асяроддзе распрацоўкі, праверкі праектаў і бібліятэкі на вытворчых серверах. Для праекціроўшчыкаў ва ўсім свеце будзе даступная платформа SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem Cloud). Воблачная платформа SAFE стваралася з удзелам такіх найбуйных публічных хмарных сэрвісаў, як Amazon Web Services (AWS) і Microsoft Azure. Свае прылады для праектавання ў рамках SAFE падалі распрацоўшчыкі сістэм праектавання кампаніі Cadence і Synopsys. Гэта абяцае спрасціць і зрабіць таннейшым працэс стварэння новых рашэнняў для тэхпрацэсаў Samsung.
Вяртаючыся да 3-нм тэхпрацэсу Samsung, дадамо, кампанія прадставіла першую версію пакета для распрацоўкі чыпаў - 3nm GAE PDK Version 0.1. З яго дапамогай ужо сёння можна прыступіць да праектавання 3-нм рашэнняў ці, прынамсі, падрыхтавацца да сустрэчы гэтага тэхпрацэсу Samsung, калі ён стане масавым.
Далейшыя планы кампанія Samsung агучвае наступным чынам. У другой палове бягучага года будзе запушчана масавая вытворчасць чыпаў з выкарыстаннем 6-нм тэхпрацэсу. Тады ж завершыцца распрацоўка 4-нм тэхпрацэсу. Распрацоўка першых прадуктаў Samsung з выкарыстаннем 5-нм тэхпрацэсу будзе завершана гэтай восенню, з запускам у вытворчасць у першай палове наступнага года. Таксама да канца бягучага года Samsung завершыць распрацоўку тэхпрацэсу 18FDS (18 нм на пласцінах FD-SOI) і 1-Гбіт чыпаў eMRAM. Тэхпрацэсы ад 7 нм да 3 нм будуць выкарыстоўваць сканары EUV з нарастальнай інтэнсіўнасцю, і пры гэтым на рахунку будзе кожны нанаметр. Далей за шлях уніз кожны крок будзе рабіцца з боем.
Крыніца: 3dnews.ru