Па дадзеных з індустрыяльных крыніц на Тайвані, на якія інтэрнэт-рэсурс DigiTimes, кітайскі вытворца памяці кампанія ChangXin Memory Technologies (CXMT) поўным ходам вядзе падрыхтоўку ліній да масавага выпуску памяці LPDDR4. Кампанія ChangXin, вядомая таксама пад імем Innotron Memory, як сцвярджаецца, распрацавала ўласны тэхпрацэс вытворчасці DRAM з выкарыстаннем 19-нм тэхналагічных норм.
Да камерцыйнага выпуску памяці на сваім першым 300-мм прадпрыемстве ChangXin павінна была у першай палове 2019 года. Нажаль, пакуль гэтага не адбылося. Але старт вытворчасці 8-Гбіт чыпаў DDR4 LPDDR4 будзе суправаджацца пашырэннем магутнасцяў да 20 тыс. 300-нм крамянёвых падкладак у месяц. Максімальная магутнасць ліній на прадпрыемстве ChangXin дасягае 125 тыс. 300-мм пласцін у месяц. Але гэта таксама не мяжа. У кампаніі паведамілі, што ў наступным годзе пачнуць будаваць другі завод для апрацоўкі 300-мм падкладак з памяццю.
У той жа час гэты кітайскі вытворца можа сутыкнуцца з праблемамі іншага кшталту. Нагадаем, першая кітайская кампанія, якая збіралася пачаць масавы выпуск памяці DRAM ― Fujian Jinhua ― ЗША з забаронай закупляць у амерыканскіх партнёраў вытворчае абсталяванне. На Тайвані лічаць, што ChangXin сутыкнецца з тымі ж праблемамі, што і Fujian. Да таго ж яна набрала на працу кваліфікаваных інжынераў з былога тайваньскага даччынага прадпрыемства японскай Elpida, бізнэс якой паглынуты амерыканскай Micron. Аналітыкі чакаюць іскаў да ChangXin з боку Micron і санкцый у выпадку адсутнасці рэакцыі кітайскага боку.
Паралельна ChangXin вядзе распрацоўку тэхпрацэсу вытворчасці памяці з нормамі 17 нм. Завяршэнне распрацоўкі чакаецца ў 2021 годзе. Верагодна, другі завод ChangXin пачне працу з выпуску крышталяў DRAM менавіта з гэтымі нормамі. Калі, вядома, у яе на шляху непераадольнай перашкодай не стануць санкцыі ЗША і інтрыгі Micron.
Крыніца: 3dnews.ru