Па прагнозах аналітычнай кампаніі , у 2021 годзе рынак сілавых паўправаднікоў на аснове SiC (карбіду крэмнію) і GaN (нітрыду галію) перавысіць $ 1 млрд, што абумоўлена попытам на электрамабілі, блокі харчавання і фотаэлектрычныя пераўтваральнікі. Гэта азначае, што блокі харчавання і пераўтваральнікі стануць кампактней і лягчэй, што забяспечыць больш працяглы прабег як электрамабілям, так і электроніцы.
Па выніках бягучага года, як прагназуюць у Omdia, рынак SiC-і GaN-элементаў падаражэе да $854 млн. Для параўнання, у 2018 годзе рынак "некрэмніевых" сілавых паўправаднікоў каштаваў $571 млн. Тым самым за тры гады адбудзецца амаль двухразовае павелічэнне кошту рынку, што кажа аб крайнім запатрабаванні ў дадзеных кампанентах.
Сілавыя паўправаднікі на аснове карбіду крэмнія і нітрыду галію дазваляюць выпускаць дыёды, транзістары і мікрасхемы для блокаў харчавання і пераўтваральнікаў з найвышэйшым значэннем ККД для токаў у шырокіх межах. Для павелічэння далёкасці прабегу электрамабіля ці для павелічэння часу аўтаномнай працы смартфона патрэбныя не толькі сучасныя і ёмістыя акумулятары, але таксама паўправаднікі, якія не губляюць энергію на пераходных працэсах і на прамежкавых ланцугах.
Чакаецца, што да канца дзесяцігоддзя выручка вытворцаў SiC-і GaN-элементаў кожны год будзе павялічвацца на двухзначную велічыню, дасягнуўшы ў 2029 годзе адзнакі на ўзроўні $5 млрд.
Крыніца:
Крыніца: 3dnews.ru