Далейшае развіццё мікраэлектронікі немагчыма ўявіць без удасканалення тэхналогій вытворчасці паўправаднікоў. Каб пашырыць межы і навучыцца выпускаць усё драбнейшыя элементы на крышталях патрэбныя новыя тэхналогіі і новыя прылады. Адной з такіх тэхналогій можа стаць прарыўная распрацоўка амерыканскіх вучоных.
Група даследчыкаў з Аргонскай нацыянальнай лабараторыі Міністэрства энергетыкі ЗША новую методыку стварэння і тручэння найтонкіх плёнак на паверхні крышталяў. Патэнцыйна гэта можа прывесці да вытворчасці чыпаў з меншымі маштабамі тэхналагічных норм, чым сёння і ў найбліжэйшай перспектыве. Публікацыя аб даследаванні размешчана ў часопісе Chemistry of Materials.
Прапанаваная методыка нагадвае традыцыйны працэс і тручэнні, толькі замест неарганічных плёнак новая тэхналогія стварае і працуе з арганічнымі плёнкамі. Уласна, па аналогіі новая тэхналогія названа малекулярна-пластавым аблогай (MLD, molecular layer deposition) і малекулярна-пластавым тручэннем (MLE, molecular layer etching).
Як і ў выпадку атамна-пластовага тручэння метад MLE выкарыстоўвае газавую апрацоўку ў камеры паверхні крышталя з плёнкамі з матэрыялу на арганічнай аснове. Крышталь цыклічна апрацоўваецца двума рознымі газамі напераменку датуль, пакуль плёнка не вытанчыцца да зададзенай таўшчыні.
Хімічныя працэсы пры гэтым падпарадкоўваюцца законам самарэгуляцыі. Гэта азначае, што пласт за пластом здымаюцца раўнамерна і кантралявана. Калі выкарыстоўваць фоташаблоны, на крышталі можна прайграць тапалогію будучага чыпа і вытруціць малюнак з высокай дакладнасцю.
У эксперыменце навукоўцы выкарыстоўвалі для малекулярнага тручэння газ з утрыманнем соляў літыя і газ на аснове трыметылалюмінію. У працэсе тручэння злучэнне літыя рэагавала з паверхняй плёнкі алукона (alucone) такім чынам, што літый абложваўся на паверхні і разбураў хімічную сувязь у плёнцы. Потым падаваўся трыметылалюміній, які выдаляў пласт плёнкі з літыем, і так па чарзе да таго часу, пакуль плёнка не памяншалася да патрэбнай таўшчыні. Добрая кіравальнасць працэсам, упэўненыя навукоўцы, можа дазволіць прапанаванай тэхналогіі падштурхнуць развіццё паўправадніковай вытворчасці.
Крыніца: 3dnews.ru