Компания Google представи „Half-Double“, нова техника за атаки от клас RowHammer, която позволява промяна на съдържанието на отделни битове в динамичната оперативна памет (DRAM). Атаката се възпроизвежда на някои съвременни DRAM чипове, производителите на които са постигнали намаляване на геометрията на клетките.
Припомняме, че атаките от клас RowHammer позволяват изкривяване на съдържанието на отделни битове в паметта чрез циклично четене на данни от съседни клетки. Тъй като DRAM паметта представлява двумерна маса от клетки, всяка от които се състои от кондензатор и транзистор, непрекъснатото четене на една и съща област от паметта води до флуктуации на напрежението и аномалии, причиняващи малка загуба на заряд в съседните клетки. Ако интензивността на четенето е достатъчно голяма, то съседната клетка може да загуби значително количество заряд, а последващият цикъл на регенерация няма да успее да възстанови първоначалното й състояние, което ще доведе до промяна на стойността на данните, съхранявани в клетката.
За защита от RowHammer производителите на чипове реализираха механизъм TRR (Target Row Refresh), който защитава срещу изкривяване на клетките в съседните редове. Методът Half-Double позволява заобикаляне на тази защита, манипулирайки факта, че изкривяванията не се ограничават само до съседни редове, а се разпространяват и на други редове памет, макар и в по-малка степен. Инженерите на Google показаха, че за последователните редове памет „A“, „B“ и „C“, е възможно да се атакува ред „C“ при много интензивен достъп до ред „A“ и малка активност, засягаща ред „B“. Обращенията към ред „B“ по време на атаката активират нелинейно изтичане на заряди и позволяват да се използва ред „B“ като транспорт за транслацията на ефекта RowHammer от ред „A“ на ред „C“.
В отличие от атаката TRRespass, която манипулира с недо çalışmalarите в различни реализации на механизма за предотвратяване на изкривяване на клетките, атаката Half-Double се основава на физическите свойства на кремниевата подложка. Half-Double показва, че вероятно предизвикващите RowHammer ефекти са свойство на разстоянието, а не на непосредственото прилепване на клетките. При намаляване на геометрията на клетките в съвременните чипове увеличава и радиусът на влияние на изкривяванията. Не е изключено ефектът да се наблюдава на разстояние повече от два реда.
Установено е, че в сътрудничество с асоциацията JEDEC са разработени няколко предложения за анализ на възможностите за блокиране на подобни атаки. Информацията за метода е разкрита, тъй като Google смята, че извършеното изследване значително разширява разбирането за феномена Rowhammer и подчертава важността на обединените усилия на изследователи, производители на чипове и други заинтересовани страни при разработването на цялостно и дългосрочно решение за защита.
Източник: opennet.ru
