Модулите памет, изградени на чипове Samsung B-die, със сигурност са един от най-популярните варианти сред ентусиастите. Въпреки това, южнокорейският производител ги счита за остарели и в момента спира производството им, предлагайки на тяхно място други DDR4 паметни микросхеми, за производството на които се използват по-нови технологични процеси. Това означава, че жизненият цикъл на небуферираните модули DDR4 памет на Samsung, основани на чиповете B-die, е завършен и в близко бъдеще те ще изчезнат от продажба. Ще прекратят доставките на подобни модули и други производители, които използват чипове Samsung B-die в своите изделия.
Чиповете Samsung B-die и модулите памет на тяхна основа са спечелили широко признание благодарение на универсалността и потенциала си за овърклок. Те прекрасно се оразмеряват по честота, добре реагират на увеличаването на напрежението и позволяват работа при изключително агресивни тайминги. Един важен плюс на модулите на база чиповете Samsung B-die е тяхната ненужда от специални изисквания и широка съвместимост с различни контролери на памет, което ги прави особено любими на притежателите на системи с процесори Ryzen.
Въпреки това, за производството на чиповете B-die се използва достатъчно стар технологичен процес с параметри от 20 nm, така че желанието на Samsung да се откаже от производството на тези полупроводникови устройства в полза на по-модерни алтернативи е напълно разбираемо. Скоро компанията обяви, че започва производството на чипове DDR4 SDRAM по технология от клас 1z-нм (трето поколение), а чиповете, произведени по технологичен процес от 1y-нм (второ поколение), се произвеждат вече повече от година и половина. Именно на тях производителят призовава да преминат. Чиповете B-die официално са обявени за EOL (End of Life) — край на жизнения цикъл.
Вместо легендарни чипове Samsung B-die сега ще се разпространяват други предложения. Стадиите на масово производство достигнаха чиповете M-die, за производството на които се използва технологичен процес с норми 1y нм. Също така до етап на квалификационно производство достигнаха и чиповете A-die, произвеждани по дори по-прогресивна технология с норми 1z нм. Това означава, че паметта на чиповете M-die ще бъде в продажба в най-близко бъдеще, а модулите, изградени на микросхеми A-die, ще станат достъпни за потребителите в рамките на шест месеца.
Главното предимство на новите микросхеми памет с обновените ядра, освен съвременните технологични процеси и потенциално по-висок коефициент на честота, е също увеличената им капацитет. Те позволяват производството на едностранни модули DDR4-памет с капацитет 16 ГБ и двустранни модули с капацитет 32 ГБ, което преди беше невъзможно.
Следва да се напомни, че това лято може да се очакват съществени промени в номенклатурата на наличните на пазара модули памет DDR4 SDRAM. Освен новите чипове Samsung в модулите памет също трябва да започнат да се използват чипове E-die на компанията Micron и C-die на компанията SK Hynix. Напълно вероятно е, че всички тези промени ще станат причина за увеличаване не само на средния обем, но и на честотния потенциал на средностатистическите модули DDR4 SDRAM.
Източник: 3dnews.ru
