Армията на САЩ получи първата мобилна РЛС на полупроводници от нитрид галий

Преминаването от силиций към полупроводници с широка забранена зона (нитрид на галия, карбид на силиций и други) позволява значително увеличаване на работните честоти и повишаване на ефективността на решенията. Поради това едната от перспективните области на приложение на широкозонни чипове и транзистори е свързаността и радарите. Електрониката на GaN-решения позволява ръст на мощността и разширяване на обхвата на радарите, което военните незабавно използват.

Компанията Lockheed Martin съобщи, която постави в армията на САЩ първите мобилни радиолокационни установки (РЛС) на основата на електроника с елементи от нитрид на галия. Нищо ново не е било измислено в компанията. На елементната база GaN бяха адаптирани приетите на въоръжение контрбатарейни РЛС AN/TPQ-53 от 2010 година. Това е първият и досега единственият в света радар на широкозонни полупроводници.

Благодарение на преминаването към активни GaN-компоненти, РЛС AN/TPQ-53 увеличи дистанцията на откритие на закрити артилерийски позиции и получи възможност за едновременно проследяване на въздушни цели. По-специално, РЛС AN/TPQ-53 започна да се използва и срещу дронове, включително малки апарати. Идентификацията на закритите артилерийски позиции може да се извършва както в сектор от 90 градуса, така и с кръгово 360-градусно наблюдение.

Компанията Lockheed Martin е единственият доставчик на радари с активна ФАР (фазирана антена решетка) в армията на САЩ. Преходът към елементна база GaN й позволява да разчита на продължително многогодишно лидерство в подобряването и производството на радарни установки.

Източник: 3dnews.ru