Американската армия получи първия мобилен РЛС на полупроводници от нитрид на галий

Преходът от силиций към полупроводници с широк забранен диапазон (нитрид галий, карбид на силиций и други) позволява значително увеличаване на работните честоти и повишаване на ефективността на решенията. Затова едно от полетата на перспективното приложение на широкозонни чипове и транзистори е връзката и радарите. Електрониката на решения с GaN „на равна основа“ дава увеличение на мощността и разширяване на обхвата на радарите, от което веднага се възползваха военните.

Компанията Lockheed Martin съобщи, че в американската армия са доставени първите мобилни радиолокационни установки (РЛС) на база електроника с елементи от нитрид галий. Нищо ново не е било измислено в компанията. На елементната база GaN бяха преведени приетите от 2010 година на въоръжение контрбатарейни РЛС AN/TPQ-53. Това е първият и засега единственият в света радар на широкозонни полупроводници.

Чрез преминаването към активни GaN-компоненти РЛС AN/TPQ-53 увеличи обхвата на откритие на закрити артилерийски позиции и получи възможност за simultanно наблюдение на въздушни цели. В частност, РЛС AN/TPQ-53 започна да се прилага срещу дронове, включително малки апарати. Идентификацията на закритите артилерийски позиции може да се извършва както в сектор от 90 градуса, така и с кръгов 360-градусов обзор.

Компанията Lockheed Martin е единственият доставчик на радари с активна ФАР (фазирана антена решетка) в американската армия. Преминаването на елементната база GaN й позволява да разчита на дългогодишно лидерство в областта на усъвършенстването и производството на радарни установки.

Източник: 3dnews.ru