Французите представиха седемстепенния GAA транзистор на утрешния ден
Отдавна не е тайна, че с 3nm технологията на процеса, транзисторите ще преминат от вертикални FinFET канали с „перки“ към хоризонтални наностранични канали, напълно заобиколени от порти или GAA (gate-all-around). Днес френският институт CEA-Leti показа как процесите за производство на FinFET транзистори могат да се използват за производство на многостепенни GAA транзистори. А поддържането на непрекъснатостта на техническите процеси е надеждна основа за бърза трансформация. За VLSI Technology & Circuits Symposium […]