Единственият в света производител на дискретни микросхеми на магниторезистивна памет MRAM, компания Everspin Technologies, продължава да усъвършенства производствените технологии. Днес Everspin и компания GlobalFoundries заедно да разработят технология за производство на микросхеми STT-MRAM с норми от 12 нм и транзистори FinFET.
На сметката на компания Everspin има над 650 патента и приложения, свързани с паметта MRAM. Това е памет, при записването в клетка, подобно на записване на информация на магнитен диск. В случая на микросхемите, всяка клетка има своя (умерено) магнитна глава. Паметта STT-MRAM, която е на път да замени MRAM, работи с още по-малки енергийни разходи, тъй като използва по-малко токове по време на запис и четене.
Първоначално паметта MRAM се произвеждаше по поръчка на Everspin от компания NXP в нейната фабрика в САЩ. През 2014 година Everspin подписа споразумение за съвместна работа с компания GlobalFoundries. Заедно те започнаха да разработват производствени процеси за дискретна и вградена MRAM (STT-MRAM), използвайки по-съвременни технологии.
С времето на предприятията на GlobalFoundries бе реализирано производството на 40-нм и 28-нм микросхеми STT-MRAM (включително новостта - 1-Гб дискретна микросхема STT-MRAM), както и бе подготвен технологичен процес 22FDX за интегриране на масиви STT-MRAM в контролери, използвайки 22-нм технологичен процес на вълни FD-SOI. Новото споразумение между Everspin и GlobalFoundries ще доведе до прехвърляне на производството на микросхеми STT-MRAM на 12-нм технологичен процес.
Паметта MRAM в бързодействие доближава до паметта SRAM и потенциално може да я замени в контролерите за Интернет на нещата. Освен това тя е енергийно независима и значително по-устойчива на износване от обикновената памет NAND. Преходът към 12-нм норми ще позволи увеличаване на плътността на запис на MRAM, а това е основният и недостатък.
Източник: 3dnews.ru
