Втора версия на технологията Xtacking, подготвена за китайски 3D NAND

Като Отчетените Китайските информационни агенции Yangtze Memory Technologies (YMTC) подготвиха втората версия на собствената технология Xtacking за оптимизиране на производството на многослойна 3D NAND флаш памет. Технологията Xtacking, припомняме, беше представена на годишната среща на високо равнище за флаш памети през август миналата година и дори получи награда в категорията за най-иновативно стартиране на флаш памет.

Разбира се, наричането на мултимилиардно предприятие стартъп очевидно е подценяване на компанията, но нека бъдем честни, YMTC все още не произвежда масово. Компанията ще премине към масови търговски доставки на 3D NAND към края на тази година, когато стартира производството на 128 Gbit 64-слойна памет, която, между другото, ще бъде подкрепена от много иновативната технология Xtacking.

Както следва от последните публикации, техническият директор на Yangtze Memory Tang Jiang призна на форума на GSA Memory+ онзи ден, че технологията Xtacking 2.0 ще бъде представена през август. Уви, техническият ръководител на компанията не сподели подробности за новата разработка, така че трябва да изчакаме август. Както показва досегашната практика, компанията пази тайната докрай и преди началото на Flash Memory Summit 2019 едва ли ще научим нещо интересно за Xtacking 2.0.

Що се отнася до самата технология Xtacking, нейната цел беше три точки визуализиране решаващо влияние върху производството на 3D NAND и продукти, базирани на него. Това са скоростта на интерфейса на чипа с флаш памет, увеличаването на плътността на записа и скоростта на пускане на нови продукти на пазара. Технологията Xtacking ви позволява да увеличите скоростта на обмен с масив от памет в 3D NAND чипове от 1–1,4 Gb / s (ONFi 4.1 и интерфейси ToggleDDR) до 3 Gb / s. С нарастването на капацитета на чиповете, изискванията за обменния курс ще растат и китайците се надяват да бъдат първите, които ще направят пробив в тази посока.

Има още една пречка за увеличаване на плътността на запис - наличието на 3D NAND чипа не само на масив от памет, но и на периферни контролни и захранващи вериги. Тези схеми отнемат от 20% до 30% от използваемата площ от масивите памет и дори 128% от кристалната повърхност ще бъде отнета от 50-Gbps чипове. В случая на технологията Xtacking, масивът от памети се произвежда на собствен чип, а управляващите вериги на друг. Кристалът е изцяло предаден на клетките на паметта, а управляващите вериги на последния етап от сглобяването на чипа са прикрепени към кристала на паметта.

Отделното производство и последващото сглобяване може също да ускори разработването на персонализирани чипове памет и специални продукти, които се сглобяват в правилната комбинация като от кубчета. Този подход дава възможност да се намали разработката на персонализирани чипове с памет с най-малко 3 месеца от общото време за разработка от 12 до 18 месеца. Повече гъвкавост означава повече клиентски интерес, от който младият китайски производител се нуждае като от въздух.

Източник: 3dnews.ru