Наскоро, на седмото China Electronic Information Expo (CITE2019) в Шенжен, на щанда на Tsinghua Unigroup беше демонстрирано първото твърдотелно устройство SSD P8260, сглобено изключително от китайски компоненти. Това е SSD от сървърен клас, в който контролерът, DRAM буферът и 3D NAND масивът са проектирани и произведени в Китай. Е, Китай направи още една стъпка и очаква да следва този път към пълна независимост от паметта на чуждестранното производство.
Всеки, който следи новините за разработването и производството на 3D NAND памет в Китай, знае, че производството на чипове с флаш памет се извършва от съвместно предприятие с Tsinghua, Yangtze River Storage Technology (YMTC). Дисковете P8260 включват първите 32-слойни 3Gb 64D NAND продукти на YMTC. Към края на годината производителят ще започне да произвежда 128 Gbit 64-слойни 3D NAND чипове, което ще позволи на YMTC да стане наличен в търговската мрежа – докато производството е на загуба.
DRAM паметта за SSD буфера се произвежда от дъщерното дружество на Tsinghua Guoxin Micro. Размерът на буфера не се съобщава. Контролерът е разработен от китайската компания Beijing Ziguang Storage Technology, която също е свързана с Tsinghua Unigroup.
Контролерът и устройството P8260 поддържат протокол NVMe 1.2.1 и интерфейс PCI Express 3.0 x4. Обявена е поддръжка на 16 канала на паметта, което обещава висока честотна лента, но точни данни за производителността на P8260 също не се съобщават. За работа с DRAM буфера процесорът разполага с вграден двуканален контролер на паметта с 40-битова шина и поддръжка на ECC. Представени са две версии на SSD P8260: с капацитет 1 и 2 TB във форм-фактори на PCIe карта и U.2 устройство.
В допълнение към устройствата P8260, производителят показа и потребителски SSD устройства от семействата P100 и S100. Компанията обаче купува 3D NAND памет за тези модели от партньори. Такъв партньор например е Intel.
Източник: 3dnews.ru