Нова техника за атака на RowHammer върху DRAM памет

Google представи "Half-Double", нова техника за атака на RowHammer, която може да промени съдържанието на отделни битове на динамичната памет с произволен достъп (DRAM). Атаката може да бъде възпроизведена на някои съвременни DRAM чипове, чиито производители са намалили геометрията на клетката.

Спомнете си, че атаките на клас RowHammer ви позволяват да изкривявате съдържанието на отделните битове на паметта чрез циклично четене на данни от съседни клетки на паметта. Тъй като DRAM паметта е двуизмерен масив от клетки, всяка от които се състои от кондензатор и транзистор, извършването на непрекъснато четене на една и съща област на паметта води до колебания на напрежението и аномалии, които причиняват малка загуба на заряд в съседните клетки. Ако интензитетът на четене е достатъчно висок, тогава съседната клетка може да загуби достатъчно голямо количество заряд и следващият цикъл на регенерация няма да има време да възстанови първоначалното си състояние, което ще доведе до промяна в стойността на данните, съхранявани в клетка.

За да се предпазят от RowHammer, производителите на чипове са внедрили TRR (Target Row Refresh) механизъм, който предпазва от повреда на клетки в съседни редове. Методът Half-Double ви позволява да заобиколите тази защита, като манипулирате, че изкривяванията не са ограничени до съседни редове и се разпространяват в други редове на паметта, макар и в по-малка степен. Инженерите на Google показаха, че за последователни редове на паметта „A“, „B“ и „C“ е възможно да се атакува ред „C“ с много интензивен достъп до ред „A“ и малка активност, засягаща ред „B“. Достъпът до ред "B" по време на атака активира нелинейно изтичане на заряд и позволява ред "B" да се използва като транспорт за прехвърляне на ефекта Rowhammer от ред "A" към "C".

За разлика от атаката TRRespass, която манипулира недостатъци в различни реализации на механизма за предотвратяване на клетъчната корупция, атаката Half-Double се основава на физическите свойства на силициевия субстрат. Half-Double показва, че е вероятно ефектите, водещи до Rowhammer, да са свойство на разстоянието, а не на прякото съседство на клетките. Тъй като геометрията на клетките в съвременните чипове намалява, радиусът на влияние на изкривяването също се увеличава. Възможно е ефектът да се наблюдава на разстояние повече от две линии.

Отбелязва се, че заедно с асоциацията JEDEC са разработени няколко предложения, анализиращи възможните начини за блокиране на подобни атаки. Методът се разкрива, защото Google вярва, че изследването значително разширява нашето разбиране за феномена Rowhammer и подчертава значението на изследователите, производителите на чипове и други заинтересовани страни да работят заедно за разработването на цялостно, дългосрочно решение за сигурност.

Източник: opennet.ru