Почти стиймпънк: американците измислиха наностакова памет с механични превключватели

американски изследователи предлагана клетка с памет, която записва данни чрез механично изместване на метални слоеве с дебелина три атома. Такава клетка с памет обещава най-висока плътност на запис и изисква минимум енергия за нейното изпълнение.

Разработката беше докладвана от съвместна група учени от лабораторията SLAC в Станфордския университет, Калифорнийския университет в Бъркли и Тексаския университет A&M. Данните са публикувани в сп Природа физика.

Учените проведоха серия от експерименти с купчини от 2D метал, наречен волфрамов дителлурид. Всеки слой от 2D метал в стека беше с дебелина три атома, което обещаваше много плътен запис в сравнение със силиконовите клетки с памет. Експериментите разкриха, че малко количество енергия, приложено към стека, причинява приплъзване (изместване) на всеки нечетен слой в купчина слоеве. Това се случва толкова бързо, че откритието може да доведе до създаването на изключително високопроизводителна компютърна памет, която може да съхранява информация без захранване (енергонезависима).

Записването на информация (нула или единица) възниква в процеса на изместване на слой метал в купчина. Изместването на слоя причинява промени в движението на електрони в горния и долния слой на 2D метали спрямо изместения слой. За разчитането на тази информация учените предлагат да се използва квантов ефект, наречен Berry кривина. Това е магнитен поток, генериран вътре в материала, който възниква, когато заредените частици се движат вътре в кристалната решетка.

Съдейки по описанието на експеримента, паметта върху подвижни слоеве в стекове от 2D метали е много, много далечна перспектива. Но перспективата е много примамлива, обещавайки 100 пъти по-бързо записване на данни за дългосрочно съхранение. По пътя трябва да се направят много експерименти и да се избере най-добрата комбинация от материали.

Източник:

• Нов Атлас

Източник: 3dnews.ru