Samsung започва масово производство на 16GB LPDDR5 памет за смартфони

Смартфоните изпреварват лаптопите и настолните компютри по отношение на количеството RAM на борда вече няколко години. Samsung реши да увеличи още повече тази разлика. За бъдещи устройства от премиум клас го стартира мащабно производство 16GB LPDDR5 DRAM чипове.

Samsung започва масово производство на 16GB LPDDR5 памет за смартфони

Новите чипове с памет с рекорден капацитет на Samsung се състоят от 12 подредени кристала. Осем от тях са с капацитет 12 Gbit, а четири са с капацитет 8 Gbit. Общо има един чип памет с капацитет 16 GB. Очевидно, ако всички матрици в стека бяха 12 Gbit, Samsung ще представи 18 GB чип, което вероятно ще направи в обозримо бъдеще.

Чипът на Samsung с капацитет 16 GB е изработен в стандарта LPDDR5 с пропускателна способност 5500 Mbit/s за всеки пин на шината за данни. Това е приблизително 1,3 пъти по-бързо от LPDDR4X мобилна памет (4266 Mbps). В сравнение с 8 GB LPDDR4X чип (пакет), новият 16 GB LPDDR5 чип, на фона на удвояване на обема и увеличаване на скоростта, осигурява 20% спестяване на консумация.

Обърнете внимание, че 16 GB LPDDR5 чипът е сглобен от кристали на паметта, произведени с помощта на второто поколение на технологията от клас 10 nm. През втората половина на тази година, в завод в Южна Корея, Samsung обещава да започне масово производство на 16-Gbit LPDDR5 кристали, използвайки третото поколение на технологията от клас 10 nm. Тези матрици не само ще имат най-висок капацитет, но и ще бъдат по-бързи, с пропускателна способност от 6400 Mbps на щифт.

Съвременните първокласни смартфони и смартфони от близкото бъдеще, уверени са в Samsung, няма да могат без впечатляващо количество RAM. Интелигентна фотография с разширен динамичен обхват и други функции, мобилни игри със зашеметяваща графика, виртуална и разширена реалност – всичко това, подкрепено от 5G мрежи с увеличена честотна лента и, което е по-важно, намалена латентност, ще изисква по-бърз растеж на паметта в смартфоните, а не в компютрите.



Източник: 3dnews.ru

Добавяне на нов коментар