Samsung завърши разработката на 8Gbit трето поколение 4nm DDR10 чипове

Samsung Electronics продължава да се гмурка в технологичния процес от клас 10 nm. Този път, само 16 месеца след началото на масовото производство на DDR4 памет, използвайки второто поколение 10nm клас (1y-nm) технология, южнокорейският производител завърши разработката на DDR4 памети, използвайки третото поколение от 10 nm клас ( 1z-nm) технология на процеса. Важното е, че процесът от клас 10nm от трето поколение все още използва 193nm литографски скенери и не разчита на нископроизводителни EUV скенери. Това означава, че преходът към масово производство на памет с помощта на най-новата 1z-nm технология ще бъде сравнително бърз и без значителни финансови разходи за преоборудване на линии.

Компанията ще започне масово производство на 8-Gbit DDR4 чипове, използвайки 1z-nm технологията на 10 nm клас през втората половина на тази година. Както е норма след прехода към 20nm технология, Samsung не разкрива точните спецификации на технологията на процеса. Предполага се, че техническият процес на компанията 1x-nm от 10-nm клас отговаря на 18-nm стандарти, процесът 1y-nm отговаря на 17- или 16-nm стандарти, а най-новият 1z-nm отговаря на 16- или 15-nm стандарти, и може би дори до 13 nm. Във всеки случай, намаляването на мащаба на техническия процес отново увеличи добива на кристали от една пластина, както признава Samsung, с 20%. В бъдеще това ще позволи на компанията да продава нова памет по-евтино или с по-добър марж, докато конкурентите не постигнат подобни резултати в производството. Въпреки това е малко тревожно, че Samsung не успя да създаде 1z-nm 16 Gbit DDR4 кристал. Това може да подскаже очакванията за повишени нива на дефекти в производството.

Използвайки третото поколение на технологията от клас 10nm, компанията ще бъде първата, която ще произвежда сървърна памет и памет за компютри от висок клас. В бъдеще технологичният процес от клас 1z-nm 10nm ще бъде адаптиран за производството на DDR5, LPDDR5 и GDDR6 памет. Сървърите, мобилните устройства и графиките ще могат да се възползват напълно от по-бързата и по-малко гладна за памет памет, което ще бъде улеснено от прехода към по-тънки производствени стандарти.

Източник: 3dnews.ru