TSMC създаде подобрена магниторезистивна памет - тя консумира 100 пъти по-малко енергия

TSMC, заедно с учени от Тайванския изследователски институт за индустриални технологии (ITRI), представиха съвместно разработена памет SOT-MRAM. Новото устройство за съхранение е проектирано за изчисления в паметта и за използване като кеш на високо ниво. Новата памет е по-бърза от DRAM и запазва данни дори след изключване на захранването и е предназначена да замени STT-MRAM паметта, като консумира 100 пъти по-малко енергия при работа. Експериментална пластина с SOT-MRAM чипове. Източник на изображението: TSMC/ITRI
Източник: 3dnews.ru