В САЩ е разработена нова технология за производство на нанометрови полупроводници

Невъзможно е да си представим по-нататъшното развитие на микроелектрониката без подобряване на технологиите за производство на полупроводници. За да разширите границите и да научите как да произвеждате все по-малки елементи върху кристали, са необходими нови технологии и нови инструменти. Една от тези технологии може да бъде пробивна разработка на американски учени.

Екип от изследователи от Националната лаборатория в Аргон на Министерството на енергетиката на САЩ разработи нова техника за създаване и ецване на тънки филми върху повърхността на кристали. Това потенциално може да доведе до производство на чипове в по-малък мащаб от сегашния и в близко бъдеще. Изследването е публикувано в списание Chemistry of Materials.

Предложената техника наподобява традиционния процес отлагане на атомен слой и ецване, само че вместо неорганични филми, новата технология създава и работи с органични филми. Всъщност, по аналогия, новата технология се нарича отлагане на молекулен слой (MLD, отлагане на молекулен слой) и ецване на молекулен слой (MLE, ецване на молекулен слой).

Както в случая на ецване на атомен слой, методът MLE използва обработка с газ в камера на повърхността на кристал с филми от материал на органична основа. Кристалът се обработва циклично с два различни газа последователно, докато филмът се изтъни до определена дебелина.

Химическите процеси се подчиняват на законите на саморегулацията. Това означава, че слой след слой се отстраняват равномерно и контролирано. Ако използвате фотомаски, можете да възпроизведете топологията на бъдещия чип върху чипа и да гравирате дизайна с най-висока точност.

В експеримента учените са използвали газ, съдържащ литиеви соли и газ на базата на триметилалуминий за молекулярно ецване. По време на процеса на ецване литиевото съединение реагира с повърхността на алуконовия филм по такъв начин, че литият се отлага върху повърхността и разрушава химическата връзка във филма. След това беше доставен триметилалуминий, който отстрани слоя от филм с литий и така един по един, докато филмът се намали до желаната дебелина. Добрата управляемост на процеса, смятат учените, може да позволи на предложената технология да тласне развитието на производството на полупроводници.

Източник: 3dnews.ru