Зарядни устройства за джаджи на ръба на революция: китайците се научиха да правят GaN транзистори

Мощните полупроводници повишават нещата. Вместо силиций се използва галиев нитрид (GaN). GaN инверторите и захранващите устройства работят с до 99% ефективност, осигурявайки най-висока ефективност на енергийните системи от електроцентрали до системи за съхранение и използване на електроенергия. Лидерите на новия пазар са компании от САЩ, Европа и Япония. Сега към тази област вписано първата компания от Китай.

Наскоро китайският производител на джаджи ROCK пусна първото зарядно устройство, което поддържа бързо зареждане на „китайски чип“. Като цяло конвенционалното решение се основава на GaN захранващия модул от серията InnoGaN от Inno Science. Чипът е направен в стандартния форм фактор DFN 8x8 за компактни захранвания.

Зарядното устройство 2W ROCK 1C65AGaN е по-компактно и по-функционално от зарядното устройство Apple 61W PD (сравнение на снимката по-горе). Китайското зарядно може едновременно да зарежда три устройства през два USB Type-C и един USB Type-A интерфейс. В бъдеще ROCK планира да пусне версии на бързи зарядни устройства с мощност 100 и 120 W на китайски GaN сглобки. В допълнение към него, още около 10 китайски производители на зарядни устройства и захранвания си сътрудничат с производителя на GaN захранващи елементи Inno Science.

Изследванията на китайските компании и по-специално на компанията Inno Science в областта на GaN енергийните компоненти имат за цел да доведат до независимост на Китай от чуждестранни доставчици на подобни решения. Inno Science разполага със собствен развоен център и лаборатория за пълен цикъл на тестване на решения. Но по-важното е, че има две производствени линии за производство на GaN разтвори върху 200 mm пластини. За световния и дори за китайския пазар това е капка в чашата. Но отнякъде трябва да се започне.

Източник: 3dnews.ru