Китайцы начнут оказывать заметное влияние на рынок NAND уже в следующем году

Как мы неоднократно сообщали, массовое производство 64-слойной памяти 3D NAND начнётся в Китае ближе к концу текущего года. Об этом производитель памяти компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) и её головная структура в лице компании Tsinghua Unigroup говорили не раз и не два. По неофициальным данным, массовый выпуск 64-слойных 128-Гбит чипов YMTC может начать в третьем квартале. Рассылки образцов такой памяти, уточняют аналитики DRAMeXchange компании TrendForce, компания начала в первом квартале текущего года. Сейчас предприятие в Ухане (Wuhan), где расположен первый завод YMTC по обработке 300-мм кремниевых пластин, выпускает ограниченные партии 32-слойной 64-Гбит 3D NAND.

Китайский производитель не стал налаживать массовое производство 32-слойной 3D NAND и сосредоточился на цели как можно скорее перейти к выпуску более-менее конкурентоспособной 128-Гбит 64-слойной NAND-флеш. Это уже в следующем году откроет путь к объёмам производства первого завода YMTC на уровне 60 тыс. 300-мм пластин в месяц. Подобные объёмы не могут сравниться с возможностями Samsung, SK Hynix или Micron, которые в месяц обрабатывают до 200 тыс. подложек каждая. Но эти объёмы китайской 3D NAND могут усугубить негативные для производителей рыночные тенденции и они однозначно, как уверены в DRAMeXchange, окажут ощутимое воздействие на рынок памяти NAND и продукции на основе такой памяти уже в следующем году.

Кстати, матёрые конкуренты сами дают компании YMTC фору. В текущем году для обуздания перепроизводства лидеры рынка снижают инвестиции в развитие промышленных линий и даже частично ― на 5–15 % ― сокращают объёмы текущего производства микросхем 3D NAND. Это означает, что перевод акцента на массовый выпуск 92–96-слойной 3D NAND вместо 64–72-слойной будет замедлен и отложен до следующего года. Также это задержит переход лидеров на выпуск 128-слойной 3D NAND. Компания YMTC, напротив, не только не снижает инвестиции, она намеренно пропустит выпуск 96-слойной 3D NAND и сразу в следующем году приступит к выпуску 128-слойной памяти. Этот технологический рывок сократит отставание китайцев от американских и южно-корейских конкурентов до года–двух, что также не сулит ветеранам отрасли ничего хорошего.

Источник: 3dnews.ru