Китайцы представили первый SSD на отечественной памяти DRAM, 3D NAND и со своим контроллером

На днях на седьмой по счёту выставке China Electronic Information Expo (CITE2019) в Шэньчжэне на стенде компании Tsinghua Unigroup был продемонстрирован первый собранный исключительно из китайских комплектующих твердотельный накопитель SSD P8260. Это SSD серверного класса, в котором контроллер, буфер DRAM и массив 3D NAND разработаны и выпущены в Китае. Что же, Китай взял очередную ступеньку и рассчитывает дойти по этому пути до полной независимости от памяти иностранного производства.

Все, кто следит за новостями о разработке и производстве в Китае памяти 3D NAND, знают, что выпуском микросхем флеш-памяти занимается совместное с Tsinghua предприятие Yangtze River Storage Technology (YMTC). В накопителях P8260 используется первая продукция YMTC в виде 32-слойных микросхем 3D NAND ёмкостью 64 Гбит. Ближе к концу года производитель начнёт выпускать 128-Гбит 64-слойные чипы 3D NAND, что позволит YMTC встать на коммерческие рельсы — пока производство идёт в убыток. 

Память DRAM для буфера SSD выпускает дочернее предприятие Tsinghua компания Guoxin Micro. О размере буфера не сообщается. Контроллер разработан китайской компанией Beijing Ziguang Storage Technology, которая тоже связана с Tsinghua Unigroup.

Контроллер и накопитель P8260 поддерживают протокол NVMe 1.2.1 и интерфейс PCI Express 3.0 x4. Заявлено о поддержке 16 каналов памяти, что обещает высокую пропускную способность, но точные данные о производительности P8260 также не сообщаются. Для работы с буфером DRAM в процессор встроен двухканальный контроллер памяти с 40-разрядной шиной и поддержкой ECC. Представлено две версии SSD P8260: ёмкостью 1 и 2 Тбайт в форм-факторах карты PCIe и диска U.2.

Кроме накопителей P8260 производитель показал также потребительские SSD семейств P100 и S100. Однако память 3D NAND для этих моделей компания закупает у партнёров. Одним из таких партнёров, например, является компания Intel.

Источник: 3dnews.ru