Β«ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ΄ΠΎΠ»Π΅Π²Π°ΡΒ» Π·Π°ΠΊΠΎΠ½ ΠœΡƒΡ€Π°: Ρ‡Π΅ΠΌ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½Ρ‹Π΅ транзисторы

ΠžΠ±ΡΡƒΠΆΠ΄Π°Π΅ΠΌ Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΊ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ.

«ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ΄ΠΎΠ»Π΅Π²Π°Ρ» Π·Π°ΠΊΠΎΠ½ ΠœΡƒΡ€Π°: Ρ‡Π΅ΠΌ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½Ρ‹Π΅ транзисторы
/ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Taylor Vick Unsplash

Π’ ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠ»Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π· ΠΌΡ‹ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°Ρ…, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ Π² производствС транзисторов ΠΈ Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΡ… возмоТности. БСгодня обсуТдаСм Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΊ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ½ΠΈ Π½Π°ΠΉΠ΄ΡƒΡ‚ Π² Π΄Π°Ρ‚Π°-Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ….

ΠŸΡŒΠ΅Π·ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ транзисторы

Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ устройства ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π² своСй структурС ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ ΠΈ ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΡ€Π΅Π·ΠΈΡΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ элСктричСскиС ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ Π² Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅. Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ β€” ΠΏΠΎΠ³Π»ΠΎΡ‰Π°Π΅Ρ‚ эти Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹, сТимаСтся ΠΈ, соотвСтствСнно, ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ»ΠΈ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ транзистор. Π’ качСствС ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΡ€Π΅Π·ΠΈΡΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ вСщСства ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ сСлСнид самария (слайд 14) β€” Π² зависимости ΠΎΡ‚ давлСния ΠΎΠ½ Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ сСбя ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ (с высоким сопротивлСниСм), ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π».

Одними ΠΈΠ· ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΡŽ ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ транзистора прСдставили Π² IBM. Π˜Π½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€Ρ‹ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ°ΠΌΠΈ Π² этой области Π΅Ρ‰Π΅ с 2012 Π³ΠΎΠ΄Π°. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² этом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅Π³ΠΈ ΠΈΠ· ΠΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ физичСской Π»Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠΈ Π’Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎΠ±Ρ€ΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠΈ, унивСрситСта Π­Π΄ΠΈΠ½Π±ΡƒΡ€Π³Π° ΠΈ ΠžΠ±Π΅Ρ€Π½Π°.

ΠŸΡŒΠ΅Π·ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ транзистор рассСиваСт Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ мСньшСС количСство энСргии, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ устройства. Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡŽ ΠΏΠ»Π°Π½ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ Π² Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Π³Π°Π΄ΠΆΠ΅Ρ‚Π°Ρ…, ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… слоТно ΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎ β€” смартфонах, Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°Ρ…, Ρ€Π°Π΄Π°Ρ€Π°Ρ….

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ транзисторы ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² сСрвСрных процСссорах для Π΄Π°Ρ‚Π°-Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². ВСхнология повысит ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΎΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ обСспСчСния ΠΈ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ ΡΠΎΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ расходы ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π¦ΠžΠ” Π½Π° ИВ-инфраструктуру.

Π’ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ транзисторы

Одной ΠΈΠ· Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹Ρ… Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… устройств являСтся ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ транзисторов, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌΠΈ напряТСниями. Π Π΅ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Π΅Ρ‘ способны Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ транзисторы. Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ устройства ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ эффСкта.

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ внСшнСго напряТСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзистора происходит быстрСС, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ элСктроны с большСй Π²Π΅Ρ€ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ΄ΠΎΠ»Π΅Π²Π°ΡŽΡ‚ диэлСктричСский Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ устройству трСбуСтся Π² нСсколько Ρ€Π°Π· мСньшСС напряТСниС для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΉ Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… транзисторов Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ· МЀВИ ΠΈ японского унивСрситСта Π’ΠΎΡ…ΠΎΠΊΡƒ. Они использовали двухслойный Π³Ρ€Π°Ρ„Π΅Π½, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ устройство, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² 10–100 Ρ€Π°Π· быстрСС ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ². По словам ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€ΠΎΠ², ΠΈΡ… тСхнология ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ ΡΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ процСссоры, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ Π² Π΄Π²Π°Π΄Ρ†Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π· ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π΅Π΅ соврСмСнных флагманских ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»Π΅ΠΉ.

«ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ΄ΠΎΠ»Π΅Π²Π°Ρ» Π·Π°ΠΊΠΎΠ½ ΠœΡƒΡ€Π°: Ρ‡Π΅ΠΌ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½Ρ‹Π΅ транзисторы
/ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ PxHere PD

Π’ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ΅ врСмя ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚ΠΈΠΏΡ‹ Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… транзисторов Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Ρ‹Π²Π°Π»ΠΈΡΡŒ с использованиСм Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² β€” ΠΏΠΎΠΌΠΈΠΌΠΎ Π³Ρ€Π°Ρ„Π΅Π½Π°, ΠΈΠΌΠΈ Π±Ρ‹Π»ΠΈ Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠΈ ΠΈ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ. Однако тСхнология Π΄ΠΎ сих ΠΏΠΎΡ€ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠΊΠΈΠ½ΡƒΠ»Π° стСны Π»Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠΉ, ΠΈ ΠΎ ΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π±Π½ΠΎΠΌ производствС устройств Π½Π° Π΅Ρ‘ основС Ρ€Π΅Ρ‡ΠΈ Π½Π΅ ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚.

Π‘ΠΏΠΈΠ½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ транзисторы

Π˜Ρ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° основана Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΈ спинов элСктронов. ДвиТутся спины с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ внСшнСго ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ поля, ΡƒΠΏΠΎΡ€ΡΠ΄ΠΎΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΈΡ… Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ спиновый Ρ‚ΠΎΠΊ. Устройства, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ с Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡŽΡ‚ Π² сто Ρ€Π°Π· мСньшС энСргии, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы, ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ со ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°Ρ€Π΄ Ρ€Π°Π· Π² сСкунду.

Π“Π»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ достоинством спиновых ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² являСтся ΠΈΡ… ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Они ΡΠΎΠ²ΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ накопитСля ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ, Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° для Π΅Ρ‘ считывания ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° для Π΅Ρ‘ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌ элСмСнтам Ρ‡ΠΈΠΏΠ°.

БчитаСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΡŽ спинового транзистора прСдставили ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€Ρ‹ Π‘ΡƒΠΏΡ€ΠΈΠΉΠΎ Π”Π°Ρ‚Ρ‚Π° (Supriyo Datta) ΠΈ БисвадТит Дас (Biswajit Das) Π² 1990 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ. Π‘ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ°ΠΌΠΈ Π² этой области занялись ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Ρ‹Π΅ ИВ-ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Intel. Однако, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°ΡŽΡ‚ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€Ρ‹, спиновыС транзисторы Π΅Ρ‰Π΅ нСскоро появятся Π² ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π°Ρ….

ΠœΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»-Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡˆΠ½Ρ‹Π΅ транзисторы

По своСй сути ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΈ конструкция ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»-Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡˆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π½Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ транзисторы MOSFET. Π—Π° Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡΠΌΠΈ: стоком ΠΈ истоком Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ мСталличСскиС элСктроды. Π—Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ устройства располоТСн ΠΏΠΎΠ΄ Π½ΠΈΠΌΠΈ ΠΈ Π·Π°ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ оксидной ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠΎΠΉ.

Π‘Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈ исток установлСны Π΄Ρ€ΡƒΠ³ ΠΎΡ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Π° Π½Π° расстоянии Ρ‚Ρ€ΠΈΠ΄Ρ†Π°Ρ‚ΠΈ Π½Π°Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт элСктронам свободно ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ сквозь Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡˆΠ½ΠΎΠ΅ пространство. ОбмСн заряТСнными частицами происходит Π·Π° счСт автоэлСктронной эмиссии.

Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΉ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»-Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡˆΠ½Ρ‹Ρ… транзисторов занимаСтся ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Π° ΠΈΠ· унивСрситСта Π² ΠœΠ΅Π»ΡŒΠ±ΡƒΡ€Π½Π΅ β€” RMIT. Π˜Π½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€Ρ‹ говорят, Ρ‡Ρ‚ΠΎ тСхнология Β«Π²Π΄ΠΎΡ…Π½Π΅Ρ‚ Π½ΠΎΠ²ΡƒΡŽ Тизнь» Π² Π·Π°ΠΊΠΎΠ½ ΠœΡƒΡ€Π° ΠΈ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ Ρ†Π΅Π»Ρ‹Π΅ 3D-сСти ΠΈΠ· транзисторов. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ² смогут ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ бСсконСчным ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ тСхпроцСссов ΠΈ займутся Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… 3D-Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€.

По ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΊΠ°ΠΌ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ², рабочая частота транзисторов Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° прСвысит сотни Π³ΠΈΠ³Π°Π³Π΅Ρ€Ρ†. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π² массы Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€ΠΈΡ‚ возмоТности Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… систСм ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ сСрвСров Π² Π΄Π°Ρ‚Π°-Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ….

БСйчас ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Π° ΠΈΡ‰Π΅Ρ‚ инвСсторов, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΡ‚ΡŒ свои исслСдования ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ тСхнологичСскиС слоТности. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Ρ‹ стока ΠΈ истока плавятся ΠΏΠΎΠ΄ воздСйствиСм элСктричСского поля β€” это сниТаСт ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ транзистора. НСдостаток ΠΏΠ»Π°Π½ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ Π² блиТайшиС ΠΏΠ°Ρ€Ρƒ Π»Π΅Ρ‚. ПослС этого ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€Ρ‹ Π½Π°Ρ‡Π½ΡƒΡ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΊΡƒ ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π° Π½Π° Ρ€Ρ‹Π½ΠΎΠΊ.

О Ρ‡Π΅ΠΌ Π΅Ρ‰Π΅ ΠΌΡ‹ пишСм Π² нашСм ΠΊΠΎΡ€ΠΏΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Π±Π»ΠΎΠ³Π΅:

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ: habr.com