Π’ Π΄Π΅ΠΊΠ°Π±Ρ€Π΅ Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ IEDM 2019 компания TSMC ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ расскаТСт ΠΎ 5-Π½ΠΌ тСхпроцСссС

Как Π½Π°ΠΌ извСстно, Π² ΠΌΠ°Ρ€Ρ‚Π΅ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π³ΠΎΠ΄Π° компания TSMC приступила ΠΊ ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Π½ΠΎΠΌΡƒ выпуску 5-Π½ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΡˆΠ»ΠΎ Π½Π° Π½ΠΎΠ²ΠΎΠΌ Π·Π°Π²ΠΎΠ΄Π΅ Fab 18 Π½Π° Π’Π°ΠΉΠ²Π°Π½Π΅, построСнном ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ для выпуска 5-Π½ΠΌ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ. МассовоС производство с использованиСм 5-Π½ΠΌ тСхпроцСсса N5 оТидаСтся Π²ΠΎ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ‚Π°Π»Π΅ 2020 Π³ΠΎΠ΄Π°. Π”ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π° Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΆΠ΅ Π³ΠΎΠ΄Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π°Π»Π°ΠΆΠ΅Π½ выпуск Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ² Π½Π° основС ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ 5-Π½ΠΌ тСхпроцСсса ΠΈΠ»ΠΈ N5P (performance). НаличиС ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ² позволяСт TSMC ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ возмоТности Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ², Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡ‰Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ тСхпроцСсса, ΠΎ Ρ‡Ρ‘ΠΌ компания ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ расскаТСт Π² Π΄Π΅ΠΊΠ°Π±Ρ€Π΅. Но ΠΊΠΎΠ΅-Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΡƒΠΆΠ΅ сСгодня ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… TSMC Ρ€Π΅Ρ„Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… заявок для выступлСния Π½Π° IEDM 2019.

Π’ Π΄Π΅ΠΊΠ°Π±Ρ€Π΅ Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ IEDM 2019 компания TSMC ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ расскаТСт ΠΎ 5-Π½ΠΌ тСхпроцСссС

ΠŸΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ ΡƒΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ, вспомним, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π°ΠΌ извСстно ΠΈΠ· ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΡ… заявлСний TSMC. УтвСрТдаСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с 7-Π½ΠΌ тСхпроцСссом чистая ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 5-Π½ΠΌ Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ² вырастСт Π½Π° 15 % ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π° 30 % сократится ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅, Ссли ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ½Π΅ΠΉ. ВСхпроцСсс N5P Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ Π΅Ρ‰Ρ‘ 7 % ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ 15 % экономии ΠΏΠΎ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ. ΠŸΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ размСщСния логичСских элСмСнтов вырастСт Π² 1,8 Ρ€Π°Π·Π°. ΠœΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π± ячСйки SRAM измСнится Π² 0,75 Ρ€Π°Π·Π°.

Π’ Π΄Π΅ΠΊΠ°Π±Ρ€Π΅ Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ IEDM 2019 компания TSMC ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ расскаТСт ΠΎ 5-Π½ΠΌ тСхпроцСссС

ΠŸΡ€ΠΈ производствС 5-Π½ΠΌ Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ² ΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π± использования EUV-сканСров достигнСт уровня Π·Ρ€Π΅Π»ΠΎΠ³ΠΎ производства. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° транзистора Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Π°, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Π·Π° счёт использования гСрмания вмСстС ΠΈΠ»ΠΈ вмСсто крСмния. Π­Ρ‚ΠΎ обСспСчит Π²ΠΎΠ·Ρ€ΠΎΡΡˆΡƒΡŽ ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ элСктронов Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ ΠΈ рост Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ². Π’ тСхпроцСссС прСдусмотрСно нСсколько ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… напряТСния, самый высокий ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… даст прирост ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π½Π° 25 % ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ Π² 7-Π½ΠΌ тСхпроцСссС. ΠŸΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ транзисторов для интСрфСйсов Π²Π²ΠΎΠ΄Π°/Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π»Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… ΠΎΡ‚ 1,5 Π’ Π΄ΠΎ 1,2 Π’.

Π’ Π΄Π΅ΠΊΠ°Π±Ρ€Π΅ Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ IEDM 2019 компания TSMC ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ расскаТСт ΠΎ 5-Π½ΠΌ тСхпроцСссС

ΠŸΡ€ΠΈ производствС сквозных отвСрстий ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ для ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ с Π΅Ρ‰Ρ‘ мСньшим сопротивлСниСм. Для изготовлСния свСрхвысокоплотных кондСнсаторов Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ схСма ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»-диэлСктрик-ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π», Ρ‡Ρ‚ΠΎ повысит ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π° 4 %. Π’ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌ случаС TSMC ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΠ΄Ρ‘Ρ‚ Π½Π° использованиС Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… low-K-изоляторов. Π’ схСмС ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… пластин появится Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ «ΡΡƒΡ…ΠΎΠΉ» процСсс Metal Reactive Ion Etching (RIE), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ частично Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ дамасский с использованиСм ΠΌΠ΅Π΄ΠΈ (для мСталличСских ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 30 Π½ΠΌ). Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ для создания Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΌΠ΅Π΄Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠΌ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ слой Π³Ρ€Π°Ρ„Π΅Π½Π° (для прСдотвращСния элСктромиграции).

Π’ Π΄Π΅ΠΊΠ°Π±Ρ€Π΅ Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ IEDM 2019 компания TSMC ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ расскаТСт ΠΎ 5-Π½ΠΌ тСхпроцСссС

Из Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² для Π΄Π΅ΠΊΠ°Π±Ρ€ΡŒΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄Π° Π½Π° IEDM ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΠΏΠΎΡ‡Π΅Ρ€ΠΏΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ряд ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² 5-Π½ΠΌ Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ² окаТСтся Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅. Π’Π°ΠΊ, ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ размСщСния логичСских элСмСнтов Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΈ достигнСт 1,84 ΠΊΡ€Π°Ρ‚. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ окаТСтся мСньшС ячСйка SRAM, ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ составит 0,021 ΠΌΠΊΠΌ2. Π‘ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ крСмния всё Π² порядкС ― ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ 15-ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ прирост, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ 30-ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅Π½Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ сниТСниС потрСблСния Π² случаС замораТивания Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΡ… частот.

Π’ Π΄Π΅ΠΊΠ°Π±Ρ€Π΅ Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ IEDM 2019 компания TSMC ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ расскаТСт ΠΎ 5-Π½ΠΌ тСхпроцСссС

Новый тСхпроцСсс даст Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ· сСми Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… напряТСний, Ρ‡Ρ‚ΠΎ внСсёт Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΈΠ΅ Π² процСсс Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΈ Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ, Π° использованиС сканСров EUV ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‘Π½Π½ΠΎ упростит производство ΠΈ сдСлаСт Π΅Ρ‘ дСшСвлС. По Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ TSMC, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π½Π° EUV-сканСры обСспСчиваСт ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Π² 0,73 Ρ€Π°Π·Π° ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с 7-Π½ΠΌ тСхпроцСссом. НапримСр, для изготовлСния Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΊΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… слоёв ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ… слоёв вмСсто пяти ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Ρ… масок потрСбуСтся всСго ΠΎΠ΄Π½Π° EUV-маска ΠΈ, соотвСтствСнно, всСго ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ тСхнологичСский Ρ†ΠΈΠΊΠ» вмСсто пяти. ΠšΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΈ, ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, насколько Π°ΠΊΠΊΡƒΡ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ элСмСнты Π½Π° кристаллС ΠΏΡ€ΠΈ использовании EUV-ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ. ΠšΡ€Π°ΡΠΎΡ‚Π°, Π΄Π° ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ.



Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ: 3dnews.ru

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ