Samsung завершила разработку 8-Гбит чипов DDR4 третьего поколения 10-нм класса

Компания Samsung Electronics продолжает погружение в техпроцесс класса 10 нм. На этот раз всего через 16 месяцев после начала массового производства памяти DDR4 с использованием техпроцесса второго поколения 10-нм класса (1y-nm) южнокорейский производитель завершил разработку кристаллов памяти DDR4 с использованием третьего поколения техпроцесса класса 10 нм (1z-nm). Что важно, техпроцесс третьего поколения 10-нм класса по-прежнему использует 193-нм литографические сканеры и не опирается на малопроизводительные пока сканеры диапазона EUV. Это означает, что переход к массовому выпуску памяти с использованием новейшего техпроцесса 1z-nm будет сравнительно быстрым и без значительных финансовых затрат на переоснащение линий.

К массовому производству 8-Гбит чипов DDR4 с использованием техпроцесса 1z-nm класса 10 нм компания приступит во второй половине текущего года. Как это заведено с этапа перехода на 20-нм техпроцесс, Samsung не раскрывает точных спецификаций техпроцесса. Предполагается, что техпроцессу 1х-nm 10-нм класса компании соответствуют нормы 18 нм, техпроцессу 1y-nm ― 17- или 16-нм нормы, а новейшему 1z-nm ― 16- или 15-нм нормы, а может быть даже до 13 нм. В любом случае снижение масштаба техпроцесса вновь увеличило выход кристаллов с одной пластины, как признаются в Samsung, ― на 20 %. В перспективе это позволит компании продавать новую память дешевле или с лучшей для себя наценкой, пока конкуренты не добьются в производстве похожего результата. Правда, немного настораживает то, что Samsung не смогла создать 1z-nm 16-Гбит кристалл DDR4. Это может намекать на ожидание повышенного уровня брака при производстве.

Первыми с использованием третьего поколения техпроцесса 10-нм класса компания начнёт выпускать память серверного назначения и память для производительных ПК. В дальнейшем техпроцесс 1z-nm 10-нм класса будет приспособлен для производства памяти DDR5, LPDDR5 и GDDR6. Серверы, мобильные устройства и графика смогут в полной мере использовать более быструю и менее прожорливую к потреблению память, чему будет способствовать переход на более тонкие нормы производства.

Источник: 3dnews.ru