SSD এর পরিচিতি। পার্ট 4. শারীরিক

"এসএসডির ভূমিকা" সিরিজের পূর্ববর্তী অংশগুলি পাঠককে এসএসডি ড্রাইভের উত্থানের ইতিহাস, তাদের সাথে যোগাযোগের জন্য ইন্টারফেস এবং জনপ্রিয় ফর্ম ফ্যাক্টর সম্পর্কে বলেছিল। চতুর্থ অংশে ড্রাইভের ভিতরে ডেটা সংরক্ষণের বিষয়ে আলোচনা করা হবে।

সিরিজের পূর্ববর্তী নিবন্ধগুলিতে:

1. এইচডিডি এবং এসএসডি তৈরির ইতিহাস
2. স্টোরেজ ইন্টারফেসের উত্থান
3. ফর্ম ফ্যাক্টর বৈশিষ্ট্য

সলিড-স্টেট ড্রাইভে ডেটা স্টোরেজকে দুটি যৌক্তিক অংশে ভাগ করা যেতে পারে: একটি একক কক্ষে তথ্য সংরক্ষণ করা এবং সেল স্টোরেজ সংগঠিত করা।

একটি সলিড স্টেট ড্রাইভের প্রতিটি সেল সঞ্চয় করে তথ্যের এক বা একাধিক বিট. তথ্য সংরক্ষণের জন্য বিভিন্ন ধরনের তথ্য ব্যবহার করা হয়। শারীরিক প্রক্রিয়া. সলিড-স্টেট ড্রাইভগুলি বিকাশ করার সময়, তথ্য এনকোডিংয়ের জন্য নিম্নলিখিত শারীরিক পরিমাণগুলি বিবেচনা করা হয়েছিল:

• বৈদ্যুতিক চার্জ (ফ্ল্যাশ মেমরি সহ);
• চৌম্বক মুহূর্ত (চৌম্বকীয় মেমরি);
• পর্যায় রাষ্ট্র (ফেজ অবস্থার পরিবর্তন সহ মেমরি)।

বৈদ্যুতিক চার্জের উপর ভিত্তি করে মেমরি

একটি নেতিবাচক চার্জ ব্যবহার করে তথ্য এনকোডিং বিভিন্ন সমাধানের অন্তর্গত:

• অতিবেগুনী ইরেজেবল রম (EPROM);
• বৈদ্যুতিকভাবে ইরেজেবল রম (EEPROM);
• ফ্ল্যাশ মেমরি।

প্রতিটি মেমরি সেল হয় ভাসমান গেট MOSFET, যা একটি ঋণাত্মক চার্জ সঞ্চয় করে। একটি প্রচলিত এমওএস ট্রানজিস্টর থেকে এর পার্থক্য হল একটি ভাসমান গেটের উপস্থিতি - অস্তরক স্তরে একটি কন্ডাকটর।

যখন ড্রেন এবং উত্সের মধ্যে একটি সম্ভাব্য পার্থক্য তৈরি করা হয় এবং গেটে একটি ইতিবাচক সম্ভাবনা থাকে, তখন কারেন্ট উৎস থেকে ড্রেনে প্রবাহিত হবে। যাইহোক, যদি যথেষ্ট বড় সম্ভাব্য পার্থক্য থাকে, কিছু ইলেক্ট্রন ডাইইলেকট্রিক স্তরকে "ভেঙ্গে" যায় এবং ভাসমান গেটে শেষ হয়। এই ঘটনা বলা হয় টানেল প্রভাব.

একটি নেতিবাচক চার্জযুক্ত ভাসমান গেট একটি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র তৈরি করে যা কারেন্টকে উৎস থেকে ড্রেনে প্রবাহিত হতে বাধা দেয়। তদুপরি, ভাসমান গেটে ইলেকট্রনের উপস্থিতি থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ বাড়ায় যেখানে ট্রানজিস্টর চালু হয়। ট্রানজিস্টরের ভাসমান গেটে প্রতিটি "লিখুন" এর সাথে, ডাইলেকট্রিক স্তরটি কিছুটা ক্ষতিগ্রস্ত হয়, যা প্রতিটি কক্ষের পুনর্লিখন চক্রের সংখ্যার উপর একটি সীমা আরোপ করে।

ফ্লোটিং-গেট এমওএসএফইটি 1967 সালে বেল ল্যাবসে ডওন কাহং এবং সাইমন মিন সেজে দ্বারা তৈরি করা হয়েছিল। পরে, সমন্বিত সার্কিটগুলির ত্রুটিগুলি অধ্যয়ন করার সময়, এটি লক্ষ্য করা গেছে যে ভাসমান গেটে চার্জের কারণে, ট্রানজিস্টরটি খোলে থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ পরিবর্তিত হয়েছে। এই আবিষ্কারটি ডভ ফ্রোহম্যানকে এই ঘটনার উপর ভিত্তি করে স্মৃতিতে কাজ শুরু করতে প্ররোচিত করেছিল।

থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ পরিবর্তন করা আপনাকে ট্রানজিস্টরগুলিকে "প্রোগ্রাম" করতে দেয়। ফ্লোটিং গেট ট্রানজিস্টর চালু হবে না যখন গেট ভোল্টেজ ইলেকট্রনবিহীন ট্রানজিস্টরের থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজের চেয়ে বেশি, কিন্তু ইলেকট্রনযুক্ত ট্রানজিস্টরের থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজের চেয়ে কম। এর এই মান কল করা যাক পড়া ভোল্টেজ.

Erasable প্রোগ্রামেবল রিড - ওনলি মেমোরি

1971 সালে, ইন্টেলের কর্মচারী ডভ ফ্রোহম্যান একটি ট্রানজিস্টর-ভিত্তিক পুনর্লিখনযোগ্য মেমরি তৈরি করেছিলেন ইরেজেবল প্রোগ্রামেবল রিড-অনলি মেমরি (EPROM). মেমরিতে রেকর্ডিং একটি বিশেষ ডিভাইস - একটি প্রোগ্রামার ব্যবহার করে বাহিত হয়েছিল। প্রোগ্রামার ডিজিটাল সার্কিটে ব্যবহৃত চিপের চেয়ে বেশি ভোল্টেজ প্রয়োগ করে, যার ফলে প্রয়োজনে ট্রানজিস্টরের ভাসমান গেটে ইলেকট্রন লেখা হয়।

EPROM মেমরি ট্রানজিস্টরের ভাসমান গেটগুলি বৈদ্যুতিকভাবে পরিষ্কার করার উদ্দেশ্যে ছিল না। পরিবর্তে, ট্রানজিস্টরগুলিকে শক্তিশালী অতিবেগুনী রশ্মিতে উন্মুক্ত করার প্রস্তাব করা হয়েছিল, যার ফোটনগুলি ইলেকট্রনগুলিকে ভাসমান গেট থেকে পালানোর জন্য প্রয়োজনীয় শক্তি দেবে। অতিবেগুনী আলোকে চিপের গভীরে প্রবেশ করতে দেওয়ার জন্য, হাউজিংয়ে কোয়ার্টজ গ্লাস যুক্ত করা হয়েছিল।

ফ্রোম্যান 1971 সালের ফেব্রুয়ারিতে ফিলাডেলফিয়ায় একটি সলিড-স্টেট আইসি সম্মেলনে প্রথম তার EPROM প্রোটোটাইপ উপস্থাপন করেন। গর্ডন মুর প্রদর্শনের কথা স্মরণ করেন: "Dov EPROM মেমরি কোষে বিট প্যাটার্ন প্রদর্শন করেছে। যখন কোষগুলি অতিবেগুনী রশ্মির সংস্পর্শে আসে, তখন অপরিচিত ইন্টেল লোগো সম্পূর্ণরূপে মুছে না যাওয়া পর্যন্ত বিটগুলি একে একে অদৃশ্য হয়ে যায়। … বিটগুলি অদৃশ্য হয়ে গেল, এবং যখন শেষটি অদৃশ্য হয়ে গেল, তখন পুরো দর্শক করতালিতে ফেটে পড়ল। ডভের নিবন্ধটি সম্মেলনে সেরা হিসাবে স্বীকৃত হয়েছিল। - নিবন্ধের অনুবাদ নিউজরুম.টেল.কম

EPROM মেমরি পূর্বে ব্যবহৃত "ডিসপোজেবল" রিড-অনলি মেমরি (ROM) ডিভাইসের তুলনায় অনেক বেশি ব্যয়বহুল, তবে পুনরায় প্রোগ্রাম করার ক্ষমতা আপনাকে সার্কিটগুলিকে দ্রুত ডিবাগ করতে এবং নতুন হার্ডওয়্যার বিকাশ করতে সময় কমাতে দেয়।

অতিবেগুনী রশ্মির সাথে রমগুলিকে পুনরায় প্রোগ্রাম করা একটি উল্লেখযোগ্য অগ্রগতি ছিল, তবে বৈদ্যুতিক পুনর্লিখনের ধারণাটি ইতিমধ্যেই বাতাসে ছিল।

বৈদ্যুতিকভাবে ইরেজেবল প্রোগ্রামেবল রিড-ওনলি মেমরি

1972 সালে, তিনজন জাপানি: ইয়াসুও তারুই, ইউটাকা হায়াশি এবং কিয়োকো নাগাই প্রথম বৈদ্যুতিকভাবে মুছে ফেলা যায় এমন পঠনযোগ্য মেমরি (EEPROM বা E2PROM) চালু করেছিলেন। পরবর্তীতে, তাদের বৈজ্ঞানিক গবেষণা EEPROM মেমরির বাণিজ্যিক বাস্তবায়নের জন্য পেটেন্টের অংশ হয়ে উঠবে।

প্রতিটি EEPROM মেমরি সেল বিভিন্ন ট্রানজিস্টর নিয়ে গঠিত:

• বিট স্টোরেজ জন্য ভাসমান গেট ট্রানজিস্টর;
• রিড-রাইট মোড নিয়ন্ত্রণের জন্য ট্রানজিস্টর।

এই নকশাটি বৈদ্যুতিক সার্কিটের ওয়্যারিংকে ব্যাপকভাবে জটিল করে তোলে, তাই EEPROM মেমরি এমন ক্ষেত্রে ব্যবহার করা হয়েছিল যেখানে অল্প পরিমাণ মেমরি সমালোচনামূলক ছিল না। EPROM এখনও প্রচুর পরিমাণে ডেটা সঞ্চয় করতে ব্যবহৃত হয়েছিল।

ফ্ল্যাশ মেমরি

ফ্ল্যাশ মেমরি, EPROM এবং EEPROM-এর সেরা বৈশিষ্ট্যগুলিকে একত্রিত করে, জাপানী অধ্যাপক ফুজিও মাসুওকা, তোশিবার একজন প্রকৌশলী, 1980 সালে তৈরি করেছিলেন। প্রথম বিকাশটিকে NOR ফ্ল্যাশ মেমরি বলা হয় এবং এর পূর্বসূরীদের মতো এটি ফ্লোটিং-গেট MOSFET-এর উপর ভিত্তি করে।

NOR ফ্ল্যাশ মেমরি ট্রানজিস্টরের একটি দ্বি-মাত্রিক অ্যারে। ট্রানজিস্টরগুলির গেটগুলি শব্দ লাইনের সাথে সংযুক্ত থাকে এবং ড্রেনগুলি বিট লাইনের সাথে সংযুক্ত থাকে। যখন শব্দ লাইনে ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হয়, তখন ইলেকট্রন ধারণকারী ট্রানজিস্টর, অর্থাৎ, "এক" সঞ্চয় করা খুলবে না এবং কারেন্ট প্রবাহিত হবে না। বিট লাইনে কারেন্টের উপস্থিতি বা অনুপস্থিতির উপর ভিত্তি করে, বিটের মান সম্পর্কে একটি উপসংহার টানা হয়।

সাত বছর পর, ফুজিও মাসুওকা NAND ফ্ল্যাশ মেমরি তৈরি করেন। এই ধরনের মেমরি বিট লাইনে ট্রানজিস্টরের সংখ্যার মধ্যে পার্থক্য করে। NOR মেমরিতে, প্রতিটি ট্রানজিস্টর সরাসরি একটি বিট লাইনের সাথে সংযুক্ত থাকে, যখন NAND মেমরিতে, ট্রানজিস্টরগুলি সিরিজে সংযুক্ত থাকে।

এই কনফিগারেশনের মেমরি থেকে পড়া আরও কঠিন: পড়ার জন্য প্রয়োজনীয় ভোল্টেজটি শব্দের প্রয়োজনীয় লাইনে প্রয়োগ করা হয় এবং ভোল্টেজ শব্দের অন্যান্য সমস্ত লাইনে প্রয়োগ করা হয়, যা চার্জ স্তর নির্বিশেষে ট্রানজিস্টরকে খোলে। যেহেতু অন্যান্য সমস্ত ট্রানজিস্টর খোলা থাকার গ্যারান্টিযুক্ত, বিট লাইনে ভোল্টেজের উপস্থিতি শুধুমাত্র একটি ট্রানজিস্টরের উপর নির্ভর করে, যেখানে রিড ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হয়।

NAND ফ্ল্যাশ মেমরির উদ্ভাবন একই আকারে আরও মেমরি স্থাপন করে সার্কিটটিকে উল্লেখযোগ্যভাবে সংকুচিত করা সম্ভব করে তোলে। 2007 পর্যন্ত, চিপের উত্পাদন প্রক্রিয়া হ্রাস করে মেমরির ক্ষমতা বৃদ্ধি করা হয়েছিল।

2007 সালে, তোশিবা NAND মেমরির একটি নতুন সংস্করণ চালু করেছিল: উল্লম্ব NAND (V-NAND), এই নামেও পরিচিত 3D NAND. এই প্রযুক্তিটি একাধিক স্তরে ট্রানজিস্টর স্থাপনের উপর জোর দেয়, যা আবার ঘন সার্কিটরি এবং মেমরির ক্ষমতা বৃদ্ধির অনুমতি দেয়। যাইহোক, সার্কিট কম্প্যাকশন অনির্দিষ্টকালের জন্য পুনরাবৃত্তি করা যাবে না, তাই স্টোরেজ ক্ষমতা বাড়ানোর জন্য অন্যান্য পদ্ধতিগুলি অন্বেষণ করা হয়েছে।

প্রাথমিকভাবে, প্রতিটি ট্রানজিস্টর দুটি চার্জ স্তর সংরক্ষণ করে: যৌক্তিক শূন্য এবং যৌক্তিক একটি। এই পদ্ধতি বলা হয় একক-স্তরের সেল (SLC). এই প্রযুক্তি সহ ড্রাইভগুলি অত্যন্ত নির্ভরযোগ্য এবং সর্বাধিক সংখ্যক পুনর্লিখন চক্র রয়েছে৷

সময়ের সাথে সাথে, পরিধান প্রতিরোধের খরচে স্টোরেজ ক্ষমতা বাড়ানোর সিদ্ধান্ত নেওয়া হয়েছিল। তাই একটি কক্ষে চার্জ লেভেলের সংখ্যা চার পর্যন্ত, এবং প্রযুক্তি বলা হয়েছিল মাল্টি-লেভেল সেল (এমএলসি). পরেরটা এলো ট্রিপল-লেভেল সেল (TLC) и কোয়াড-লেভেল সেল (QLC). ভবিষ্যতে একটি নতুন স্তর হবে - পেন্টা-লেভেল সেল (PLC) প্রতি সেল পাঁচ বিট সহ। একটি কক্ষে যত বেশি বিট ফিট হবে, একই খরচে স্টোরেজ ক্ষমতা তত বেশি, কিন্তু পরিধানের প্রতিরোধ ক্ষমতা তত কম।

প্রযুক্তিগত প্রক্রিয়া হ্রাস করে এবং একটি ট্রানজিস্টরে বিটের সংখ্যা বৃদ্ধি করে সার্কিটের সংকোচন সঞ্চিত ডেটাকে নেতিবাচকভাবে প্রভাবিত করে। EPROM এবং EEPROM একই ট্রানজিস্টর ব্যবহার করা সত্ত্বেও, EPROM এবং EEPROM দশ বছরের জন্য শক্তি ছাড়াই ডেটা সংরক্ষণ করতে পারে, যখন আধুনিক ফ্ল্যাশ মেমরি এক বছর পরে সবকিছু "ভুলে যেতে" পারে।

স্পেস ইন্ডাস্ট্রিতে ফ্ল্যাশ মেমরির ব্যবহার কঠিন কারণ ভাসমান গেটের ইলেকট্রনের উপর রেডিয়েশনের ক্ষতিকর প্রভাব রয়েছে।

এই সমস্যাগুলি ফ্ল্যাশ মেমরিকে তথ্য সংরক্ষণের ক্ষেত্রে অবিসংবাদিত নেতা হতে বাধা দেয়। ফ্ল্যাশ মেমরির উপর ভিত্তি করে ড্রাইভগুলি ব্যাপক হওয়া সত্ত্বেও, চৌম্বকীয় মুহূর্ত এবং ফেজ স্টেটে তথ্য সংরক্ষণ করা সহ অন্যান্য ধরণের মেমরি নিয়ে গবেষণা চলছে যেগুলির এই অসুবিধাগুলি নেই।

চৌম্বকীয় মেমরি

চৌম্বকীয় মুহূর্ত সহ এনকোডিং তথ্য 1955 সালে চৌম্বকীয় কোরে মেমরি আকারে উপস্থিত হয়েছিল। 1970-এর দশকের মাঝামাঝি পর্যন্ত, ফেরাইট মেমরি মেমরির প্রধান ধরনের ছিল। এই ধরনের মেমরি থেকে কিছুটা পড়ার ফলে রিংটির ডিম্যাগনেটাইজেশন এবং তথ্যের ক্ষতি হয়। এভাবে কিছুটা পড়ার পর আবার লিখতে হলো।

চৌম্বকীয় মেমরির আধুনিক বিকাশে, রিংয়ের পরিবর্তে, একটি ডাইলেকট্রিক দ্বারা পৃথক করা ফেরোম্যাগনেটের দুটি স্তর ব্যবহার করা হয়। একটি স্তর একটি স্থায়ী চুম্বক, এবং দ্বিতীয়টি চুম্বককরণের দিক পরিবর্তন করে। এই জাতীয় ঘর থেকে কিছুটা পড়া কারেন্ট পাস করার সময় প্রতিরোধের পরিমাপ করতে নেমে আসে: যদি স্তরগুলি বিপরীত দিকে চুম্বকীয় হয়, তবে প্রতিরোধের পরিমাণ বেশি এবং এটি "1" মানের সমতুল্য।

ফেরাইট মেমরি রেকর্ড করা তথ্য বজায় রাখার জন্য একটি ধ্রুবক শক্তি উৎসের প্রয়োজন হয় না, তবে, কোষের চৌম্বক ক্ষেত্র "প্রতিবেশী" কে প্রভাবিত করতে পারে, যা সার্কিট সংকোচনের উপর একটি সীমাবদ্ধতা আরোপ করে।

অনুযায়ী JEDEC শক্তি ছাড়াই ফ্ল্যাশ মেমরির উপর ভিত্তি করে এসএসডি ড্রাইভগুলিকে 40 ডিগ্রি সেলসিয়াসের পরিবেষ্টিত তাপমাত্রায় কমপক্ষে তিন মাস তথ্য ধরে রাখতে হবে। ইন্টেল দ্বারা ডিজাইন করা হয়েছে চুম্বকীয় মেমরির উপর ভিত্তি করে চিপ 200 ডিগ্রি সেলসিয়াসে দশ বছরের জন্য ডেটা সংরক্ষণ করার প্রতিশ্রুতি দেয়।

বিকাশের জটিলতা সত্ত্বেও, ম্যাগনেটোরেসিটিভ মেমরি ব্যবহারের সময় ক্ষয় হয় না এবং অন্যান্য ধরণের মেমরির মধ্যে এটির সর্বোত্তম কার্যক্ষমতা রয়েছে, যা এই ধরণের মেমরিকে লেখা বন্ধ করার অনুমতি দেয় না।

ফেজ পরিবর্তন মেমরি

তৃতীয় প্রতিশ্রুতিশীল ধরনের মেমরি হল ফেজ পরিবর্তনের উপর ভিত্তি করে মেমরি। এই ধরনের মেমরি উত্তপ্ত হলে স্ফটিক এবং নিরাকার অবস্থার মধ্যে স্যুইচ করতে চ্যালকোজেনাইডের বৈশিষ্ট্য ব্যবহার করে।

চ্যালকোজেনাইডস — পর্যায় সারণীর 16 তম গ্রুপ (প্রধান উপগোষ্ঠীর 6 তম গ্রুপ) সহ ধাতুগুলির বাইনারি যৌগ। উদাহরণস্বরূপ, CD-RW, DVD-RW, DVD-RAM এবং ব্লু-রে ডিস্কে জার্মেনিয়াম টেলুরাইড (GeTe) এবং অ্যান্টিমনি (III) টেলুরাইড (Sb2Te3) ব্যবহার করা হয়।

তথ্য সংরক্ষণের জন্য ফেজ ট্রানজিশন ব্যবহারের উপর গবেষণা করা হয়েছিল 1960 এর দশক স্ট্যানফোর্ড ওভশিনস্কি দ্বারা বছর, কিন্তু তারপরে এটি বাণিজ্যিক বাস্তবায়নে আসেনি। 2000-এর দশকে, প্রযুক্তির প্রতি নতুন করে আগ্রহ দেখা দেয়, স্যামসাং পেটেন্ট করা প্রযুক্তি যা 5 এনএস-এ বিট সুইচিং করতে দেয়, এবং ইন্টেল এবং STMicroelectronics রাজ্যের সংখ্যা চারে উন্নীত করে, যার ফলে সম্ভাব্য ক্ষমতা দ্বিগুণ হয়।

গলনাঙ্কের উপরে উত্তপ্ত হলে, চ্যালকোজেনাইড তার স্ফটিক গঠন হারায় এবং শীতল হওয়ার পরে, উচ্চ বৈদ্যুতিক প্রতিরোধের দ্বারা চিহ্নিত একটি নিরাকার আকারে পরিণত হয়। পালাক্রমে, যখন স্ফটিককরণ বিন্দুর উপরে তাপমাত্রায় উত্তপ্ত হয়, কিন্তু গলনাঙ্কের নীচে, চ্যালকোজেনাইড একটি নিম্ন স্তরের প্রতিরোধের সাথে একটি স্ফটিক অবস্থায় ফিরে আসে।

ফেজ পরিবর্তন মেমরির সময়ের সাথে সাথে "রিচার্জিং" এর প্রয়োজন হয় না, এবং বৈদ্যুতিকভাবে চার্জ করা মেমরির বিপরীতে বিকিরণ সংবেদনশীলও নয়। এই ধরনের মেমরি 300°C তাপমাত্রায় 85 বছর ধরে তথ্য ধরে রাখতে পারে।

এটি ইন্টেল প্রযুক্তির বিকাশ বলে বিশ্বাস করা হয় 3D ক্রসপয়েন্ট (3D XPoint) এটি তথ্য সঞ্চয় করতে ফেজ ট্রানজিশন ব্যবহার করে। 3D XPoint Intel® Optane™ মেমরি ড্রাইভে ব্যবহার করা হয়, যেগুলোর সহনশীলতা বেশি বলে দাবি করা হয়।

উপসংহার

সলিড-স্টেট ড্রাইভের ভৌত নকশায় ইতিহাসের অর্ধ শতাব্দীরও বেশি সময় ধরে অনেক পরিবর্তন হয়েছে, তবে প্রতিটি সমাধানেরই ত্রুটি রয়েছে। ফ্ল্যাশ মেমরির অনস্বীকার্য জনপ্রিয়তা সত্ত্বেও, স্যামসাং এবং ইন্টেল সহ বেশ কয়েকটি কোম্পানি চৌম্বকীয় মুহূর্তের উপর ভিত্তি করে মেমরি তৈরির সম্ভাবনা অন্বেষণ করছে।

সেল পরিধান হ্রাস করা, সেগুলিকে কম্প্যাক্ট করা এবং ড্রাইভের সামগ্রিক ক্ষমতা বাড়ানো হল এমন ক্ষেত্র যা বর্তমানে সলিড-স্টেট ড্রাইভের আরও বিকাশের জন্য প্রতিশ্রুতিবদ্ধ।

আপনি আমাদের আজকের সেরা NAND এবং 3D XPoint ড্রাইভ পরীক্ষা করতে পারেন সিলেক্টেল ল্যাব.

আপনি কি মনে করেন যে বৈদ্যুতিক চার্জের তথ্য সংরক্ষণের প্রযুক্তিগুলি অন্যদের দ্বারা প্রতিস্থাপিত হবে, উদাহরণস্বরূপ, কোয়ার্টজ ডিস্ক বা লবণের ন্যানোক্রিস্টালগুলিতে অপটিক্যাল মেমরি?

উত্স: www.habr.com