Xtacking প্রযুক্তির দ্বিতীয় সংস্করণ চীনা 3D NAND-এর জন্য প্রস্তুত

কিভাবে রিপোর্ট চীনা সংবাদ সংস্থা, Yangtze মেমরি টেকনোলজিস (YMTC) মাল্টি-লেয়ার 3D NAND ফ্ল্যাশ মেমরির উৎপাদন অপ্টিমাইজ করার জন্য তার মালিকানাধীন Xtacking প্রযুক্তির দ্বিতীয় সংস্করণ প্রস্তুত করেছে। Xtacking প্রযুক্তি, আমরা স্মরণ করি, গত বছরের আগস্টে বার্ষিক ফ্ল্যাশ মেমরি সামিট ফোরামে উপস্থাপিত হয়েছিল এবং এমনকি "ফ্ল্যাশ মেমরির ক্ষেত্রে সবচেয়ে উদ্ভাবনী স্টার্টআপ" বিভাগে একটি পুরস্কার পেয়েছিল।

অবশ্যই, মাল্টিবিলিয়ন-ডলার বাজেটের একটি এন্টারপ্রাইজকে একটি স্টার্টআপ বলা স্পষ্টভাবে কোম্পানিকে অবমূল্যায়ন করছে, কিন্তু, আসুন সত্য কথা বলি, YMTC এখনও প্রচুর পরিমাণে পণ্য উত্পাদন করে না। কোম্পানিটি এই বছরের শেষের দিকে 3D NAND-এর ব্যাপক বাণিজ্যিক সরবরাহে চলে যাবে যখন এটি 128 Gbit 64-লেয়ার মেমরির উত্পাদন শুরু করবে, যা সেই একই উদ্ভাবনী Xtacking প্রযুক্তি দ্বারা সমর্থিত হবে।

সাম্প্রতিক প্রতিবেদনগুলি থেকে অনুসরণ করা হয়েছে, সম্প্রতি GSA মেমরি+ ফোরামে, ইয়াংজি মেমরি CTO Tang জিয়াং স্বীকার করেছেন যে Xtacking 2.0 প্রযুক্তি আগস্টে উপস্থাপন করা হবে৷ হায়রে, কোম্পানির প্রযুক্তিগত প্রধান নতুন বিকাশের বিশদ ভাগ করেনি, তাই আমাদের আগস্ট পর্যন্ত অপেক্ষা করতে হবে। অতীতের অনুশীলন দেখায়, কোম্পানি শেষ অবধি গোপন রাখে এবং ফ্ল্যাশ মেমরি সামিট 2019 শুরু হওয়ার আগে, আমরা Xtacking 2.0 সম্পর্কে আকর্ষণীয় কিছু শিখতে পারব না।

Xtacking প্রযুক্তির জন্য, এর লক্ষ্য ছিল তিনটি পয়েন্ট: রেন্ডার 3D NAND এবং এর উপর ভিত্তি করে পণ্য উৎপাদনের উপর একটি নির্ধারক প্রভাব। এগুলো হল ফ্ল্যাশ মেমরি চিপ ইন্টারফেসের গতি, রেকর্ডিং ঘনত্ব বৃদ্ধি এবং বাজারে নতুন পণ্য আনার গতি। Xtacking প্রযুক্তি আপনাকে 3D NAND চিপসে মেমরি অ্যারের সাথে বিনিময় হার 1–1,4 Gb/s (ONFi 4.1 এবং ToggleDDR ইন্টারফেস) থেকে 3 Gb/s-এ বৃদ্ধি করতে দেয়। চিপগুলির ক্ষমতা বাড়ার সাথে সাথে বিনিময় হারের প্রয়োজনীয়তা বাড়বে এবং চীনারা এই দিকে অগ্রগতি করতে প্রথম হবে বলে আশা করে।

রেকর্ডিং ঘনত্ব বাড়ানোর ক্ষেত্রে আরেকটি বাধা রয়েছে - শুধুমাত্র একটি মেমরি অ্যারের নয়, পেরিফেরাল কন্ট্রোল এবং পাওয়ার সার্কিটের 3D NAND চিপে উপস্থিতি। এই সার্কিটগুলি মেমরি অ্যারে থেকে ব্যবহারযোগ্য এলাকার 20% থেকে 30% পর্যন্ত নিয়ে যায়, এমনকি 128-Gbps চিপ থেকে স্ফটিক পৃষ্ঠের 50% কেড়ে নেওয়া হবে। Xtacking প্রযুক্তির ক্ষেত্রে, মেমরি অ্যারে তার নিজস্ব চিপে উত্পাদিত হয় এবং অন্যটিতে নিয়ন্ত্রণ সার্কিট। স্ফটিকটি সম্পূর্ণরূপে মেমরি কোষগুলিতে দেওয়া হয় এবং চিপ সমাবেশের চূড়ান্ত পর্যায়ে নিয়ন্ত্রণ সার্কিটগুলি মেমরি ক্রিস্টালের সাথে সংযুক্ত থাকে।

পৃথক উত্পাদন এবং পরবর্তী সমাবেশ কাস্টম মেমরি চিপ এবং বিশেষ পণ্যগুলির বিকাশকে ত্বরান্বিত করতে পারে যা কিউব থেকে সঠিক সংমিশ্রণে একত্রিত হয়। এই পদ্ধতিটি 3 থেকে 12 মাসের মোট বিকাশ সময়ের মধ্যে কমপক্ষে 18 মাস কাস্টম মেমরি চিপগুলির বিকাশকে হ্রাস করা সম্ভব করে তোলে। আরও নমনীয়তা মানে আরও গ্রাহকের আগ্রহ, যা তরুণ চীনা প্রস্তুতকারকের বাতাসের মতো প্রয়োজন।

উত্স: 3dnews.ru