মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র এবং ফ্রান্সের রাশিয়ান সহকর্মীদের সাথে রাশিয়ান পদার্থবিদরা একটি "অসম্ভব" ক্যাপাসিটর তৈরি করেছেন

কিছু সময় আগে, প্রকাশনা কমিউনিকেশনস ফিজিক্স একটি বৈজ্ঞানিক নিবন্ধ "নেতিবাচক ক্যাপ্যাসিট্যান্সের জন্য ফেরোইলেক্ট্রিক ডোমেন ব্যবহার করা" প্রকাশ করেছিল, যার লেখক ছিলেন সাউদার্ন ফেডারেল ইউনিভার্সিটির (রোস্টভ-অন-ডন) ইউরি টিখোনভ এবং আন্না রাজুমনায়া, ফরাসি পদার্থবিদদের রাশিয়ান পদার্থবিদ। ইউনিভার্সিটি অফ পিকার্ডির নামকরণ করা হয়েছে জুলস ভার্ন ইগর লুকিয়ানচুক এবং আনাইস সেন, সেইসাথে আর্গোনে ন্যাশনাল ল্যাবরেটরি ভ্যালেরি ভিনোকুরের পদার্থ বিজ্ঞানীর নামে। নিবন্ধটি একটি নেতিবাচক চার্জ সহ একটি "অসম্ভব" ক্যাপাসিটর তৈরির বিষয়ে কথা বলে, যা কয়েক দশক আগে ভবিষ্যদ্বাণী করা হয়েছিল, কিন্তু এখনই বাস্তবায়িত হয়েছে।

উন্নয়ন অর্ধপরিবাহী ডিভাইসের ইলেকট্রনিক সার্কিট একটি বিপ্লব প্রতিশ্রুতি. একটি "নেতিবাচক" এবং একটি ধনাত্মক চার্জ সহ একটি প্রচলিত ক্যাপাসিটরের একটি জোড়া, সিরিজে সংযুক্ত, একটি নির্দিষ্ট বিন্দুতে ইনপুট ভোল্টেজের স্তরকে নামমাত্র মানের উপরে বাড়িয়ে দেয় যা ইলেকট্রনিক সার্কিটের নির্দিষ্ট বিভাগগুলির পরিচালনার জন্য প্রয়োজনীয়। অন্য কথায়, প্রসেসর তুলনামূলকভাবে কম ভোল্টেজ দ্বারা চালিত হতে পারে, কিন্তু সার্কিটগুলির (ব্লক) যে অংশগুলিকে পরিচালনা করার জন্য একটি বর্ধিত ভোল্টেজের প্রয়োজন হয় সেগুলি "নেতিবাচক" এবং প্রচলিত ক্যাপাসিটারগুলির জোড়া ব্যবহার করে বর্ধিত ভোল্টেজ সহ নিয়ন্ত্রিত শক্তি পাবে। এটি কম্পিউটিং সার্কিট এবং আরও অনেক কিছুর শক্তি দক্ষতা উন্নত করার প্রতিশ্রুতি দেয়।

নেতিবাচক ক্যাপাসিটারগুলির এই বাস্তবায়নের আগে, একটি অনুরূপ প্রভাব অল্প সময়ের জন্য এবং শুধুমাত্র বিশেষ অবস্থার অধীনে অর্জন করা হয়েছিল। রাশিয়ান বিজ্ঞানীরা, মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র এবং ফ্রান্সের সহকর্মীদের সাথে, নেতিবাচক ক্যাপাসিটারগুলির একটি স্থিতিশীল এবং সাধারণ কাঠামো নিয়ে এসেছেন, যা ব্যাপক উত্পাদনের জন্য এবং স্বাভাবিক অবস্থায় অপারেশনের জন্য উপযুক্ত।

পদার্থবিদদের দ্বারা বিকশিত একটি নেতিবাচক ক্যাপাসিটরের গঠনটি দুটি পৃথক অঞ্চল নিয়ে গঠিত, যার প্রতিটিতে একই পোলারিটির চার্জ সহ ফেরোইলেকট্রিক ন্যানো পার্টিকেল রয়েছে (সোভিয়েত সাহিত্যে তাদের ফেরোইলেকট্রিক্স বলা হত)। তাদের স্বাভাবিক অবস্থায়, ফেরোইলেক্ট্রিকগুলির একটি নিরপেক্ষ চার্জ থাকে, যা উপাদানের মধ্যে এলোমেলোভাবে ভিত্তিক ডোমেনের কারণে হয়। বিজ্ঞানীরা একই চার্জ সহ ন্যানো পার্টিকেলগুলিকে ক্যাপাসিটরের দুটি পৃথক ভৌত এলাকায় আলাদা করতে সক্ষম হয়েছিল - প্রতিটি তার নিজস্ব এলাকায়।

দুটি বিপরীত মেরু অঞ্চলের মধ্যে প্রচলিত সীমানায়, একটি তথাকথিত ডোমেন প্রাচীর অবিলম্বে উপস্থিত হয়েছিল - মেরুতা পরিবর্তনের একটি এলাকা। এটি প্রমাণিত হয়েছে যে কাঠামোর একটি অঞ্চলে ভোল্টেজ প্রয়োগ করা হলে একটি ডোমেন প্রাচীর সরানো যেতে পারে। এক দিকে ডোমেইন প্রাচীরের স্থানচ্যুতি একটি ঋণাত্মক চার্জ জমা হওয়ার সমতুল্য হয়ে উঠেছে। তদুপরি, ক্যাপাসিটর যত বেশি চার্জ হবে, তার প্লেটের ভোল্টেজ তত কম হবে। এটি প্রচলিত ক্যাপাসিটারগুলির ক্ষেত্রে নয়। চার্জ বৃদ্ধি প্লেটগুলিতে ভোল্টেজ বৃদ্ধির দিকে পরিচালিত করে। যেহেতু নেতিবাচক এবং সাধারণ ক্যাপাসিটরগুলি সিরিজে সংযুক্ত থাকে, তাই প্রক্রিয়াগুলি শক্তি সংরক্ষণের আইন লঙ্ঘন করে না, তবে বৈদ্যুতিন সার্কিটের পছন্দসই পয়েন্টগুলিতে সরবরাহ ভোল্টেজ বৃদ্ধির আকারে একটি আকর্ষণীয় ঘটনার আবির্ভাব ঘটায়। . ইলেকট্রনিক সার্কিটগুলিতে এই প্রভাবগুলি কীভাবে প্রয়োগ করা হবে তা দেখতে আকর্ষণীয় হবে।

উত্স: 3dnews.ru