Samsung 12-স্তর HBM3E মেমরি তৈরি করেছে যার রেকর্ড ক্ষমতা 36 GB প্রতি স্ট্যাক

Сегмент памяти типа HBM сейчас развивается очень динамично, поскольку именно ею оснащаются востребованные рынком ускорители вычислений для систем искусственного интеллекта. Компания Samsung Electronics заявила о разработке первого в мире 12-ярусного стека HBM3E совокупной ёмкостью 36 Гбайт, который обеспечивает передачу информации со скоростью 1280 Гбайт/с. Источник изображения: Samsung Electronics
উত্স: 3dnews.ru