SK Hynix চীনে নতুন DRAM মেমরি উত্পাদন লাইন উদ্বোধন করেছে

বৃহস্পতিবার, 18 এপ্রিল, পার্টি নেতৃত্ব এবং জিয়াংসু প্রদেশের প্রধানদের পাশাপাশি কোরিয়া প্রজাতন্ত্রের কনস্যুলেটের কর্মচারীদের উপস্থিতিতে, এসকে হাইনিক্সের নির্বাহী পরিচালক, লি সিওক-হি, একান্তভাবে কাজে রাখা চীনে কোম্পানির উৎপাদন সাইটে একটি নতুন কারখানা ভবন। এটি উক্সির কাছে C2F প্ল্যান্ট, C2 Fab কোম্পানির পাশে। C2 Fab হল SK Hynix-এর প্রথম সুবিধা যেখানে 300mm সিলিকন ওয়েফার রয়েছে। কোম্পানি এই ওয়েফার ব্যবহার করে চীনে DRAM-টাইপ মেমরি তৈরি করতে শুরু করেছে।

উক্সি প্ল্যান্ট 2006 সালে পণ্য উত্পাদন শুরু করে। প্রযুক্তিগত প্রক্রিয়াগুলি উন্নত হওয়ার সাথে সাথে সরঞ্জামগুলি আরও জটিল হয়ে উঠেছে। নতুন স্ক্যানার এবং প্রযুক্তিগত প্রক্রিয়ার জন্য অতিরিক্ত সরঞ্জামের আকারে অবকাঠামো প্রসারিত করা প্রয়োজন। এইভাবে, পরিষ্কার ঘরের ক্ষেত্রে উত্পাদনের পরিমাণ হ্রাস পেয়েছে এবং এন্টারপ্রাইজের কাজের ক্ষেত্রটি প্রসারিত করার প্রয়োজন দেখা দিয়েছে। সুতরাং, 2016 সালে একটি পরিকল্পনা আবির্ভূত একটি নতুন বিল্ডিং তৈরি করুন, যা পরে C2F নামে পরিচিত হয়।

2017 থেকে 2018 পর্যন্ত, C2F-তে বিনিয়োগের পরিমাণ ছিল 950 বিলিয়ন দক্ষিণ কোরিয়ান ওয়ান ($790 মিলিয়ন)। উল্লেখ্য, নতুন ভবনে শুধু পরিচ্ছন্ন কক্ষের একাংশের কাজ শেষ হয়েছে। কোম্পানী সম্পূর্ণ লাইনের ক্ষমতা প্রকাশ করে না এবং নির্দিষ্ট করে না যে এটি কখন বাকী এলাকাগুলিকে চালু করতে চায়। এটা অনুমান করা যেতে পারে যে এই বছর, DRAM-এর পাইকারি দামের নিম্নমুখী প্রবণতার কারণে, SK Hynix এই প্রকল্পে বিনিয়োগ স্থগিত করবে। যাই হোক, বিশ্লেষকরা প্রত্যাশা ঠিক যেমন একটি দৃশ্যকল্প. কোম্পানিগুলি এই বছরের দ্বিতীয়ার্ধের আগে বা পরের বছরের শুরুর দিকে মেমরি উত্পাদন ক্ষমতা বাড়ানোর জন্য অর্থায়ন প্রকল্পগুলি পুনরায় শুরু করার পরিকল্পনা করেছে।

C2F কমপ্লেক্সটি 316 m180 এলাকায় 51 মিটার উচ্চতার সাথে 58 × 000 মিটারের পাশ সহ একটি একক ভবন হিসাবে ডিজাইন করা হয়েছে। C2 ফ্যাব বিল্ডিং একই মাত্রা আছে. এটি অনুমান করা হয়, তবে নিশ্চিত নয় যে C2 উদ্ভিদ প্রতি মাসে 2 130 মিমি ব্যাসের ওয়েফারগুলি প্রক্রিয়া করতে পারে। নতুন কর্মশালার সর্বোচ্চ ক্ষমতা এই মানের অনুরূপ বা কাছাকাছি হবে বলে আশা করা যেতে পারে।

উত্স: 3dnews.ru