স্যামসাং প্রতিটি ন্যানোমিটার গণনা করে: 7 এনএম, 6-, 5-, 4- এবং 3-এনএম প্রক্রিয়া প্রযুক্তির পরে যাবে

আজ স্যামসাং ইলেকট্রনিক্স রিপোর্ট সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনের জন্য প্রযুক্তিগত প্রক্রিয়াগুলির বিকাশের পরিকল্পনা সম্পর্কে। কোম্পানী পেটেন্ট এমবিসিএফইটি ট্রানজিস্টরের উপর ভিত্তি করে পরীক্ষামূলক 3-এনএম চিপগুলির ডিজিটাল প্রকল্প তৈরিকে প্রধান বর্তমান অর্জন বলে বিবেচনা করে। এগুলি উল্লম্ব FET গেটে একাধিক অনুভূমিক ন্যানোপেজ চ্যানেল সহ ট্রানজিস্টর (মাল্টি-ব্রিজ-চ্যানেল FET)।

IBM-এর সাথে একটি জোটের অংশ হিসাবে, স্যামসাং সম্পূর্ণরূপে গেট (GAA বা Gate-All-Around) দ্বারা বেষ্টিত চ্যানেলগুলির সাথে ট্রানজিস্টর উৎপাদনের জন্য একটি সামান্য ভিন্ন প্রযুক্তি তৈরি করেছে। চ্যানেলগুলোকে ন্যানোয়ারের আকারে পাতলা করার কথা ছিল। পরবর্তীকালে, স্যামসাং এই স্কিম থেকে দূরে সরে যায় এবং ন্যানোপেজ আকারে চ্যানেল সহ একটি ট্রানজিস্টর কাঠামো পেটেন্ট করে। এই কাঠামোটি আপনাকে পৃষ্ঠাগুলির সংখ্যা (চ্যানেল) এবং পৃষ্ঠাগুলির প্রস্থ সামঞ্জস্য করে উভয়ই ম্যানিপুলেট করে ট্রানজিস্টরের বৈশিষ্ট্যগুলি নিয়ন্ত্রণ করতে দেয়। শাস্ত্রীয় FET প্রযুক্তির জন্য, যেমন একটি কৌশল অসম্ভব। একটি FinFET ট্রানজিস্টরের শক্তি বাড়ানোর জন্য, সাবস্ট্রেটে FET ফিনের সংখ্যা গুণ করা প্রয়োজন এবং এর জন্য এলাকা প্রয়োজন। MBCFET ট্রানজিস্টরের বৈশিষ্ট্যগুলি একটি শারীরিক গেটের মধ্যে পরিবর্তন করা যেতে পারে, যার জন্য আপনাকে চ্যানেলগুলির প্রস্থ এবং তাদের সংখ্যা সেট করতে হবে।

GAA প্রক্রিয়া ব্যবহার করে উৎপাদনের জন্য একটি প্রোটোটাইপ চিপের ডিজিটাল ডিজাইনের (টেপ করা) প্রাপ্যতা স্যামসাংকে MBCFET ট্রানজিস্টরের ক্ষমতার সীমা নির্ধারণ করতে দেয়। এটি মনে রাখা উচিত যে এটি এখনও কম্পিউটার মডেলিং ডেটা এবং নতুন প্রযুক্তিগত প্রক্রিয়াটি ব্যাপক উত্পাদনে চালু হওয়ার পরেই চূড়ান্তভাবে বিচার করা যেতে পারে। যাইহোক, একটি শুরু বিন্দু আছে. কোম্পানি বলেছে যে 7nm প্রক্রিয়া (স্পষ্টতই প্রথম প্রজন্ম) থেকে GAA প্রক্রিয়ায় রূপান্তর ডাই এরিয়াতে 45% হ্রাস এবং খরচ 50% হ্রাস প্রদান করবে। আপনি যদি ব্যবহারে বাদ না দেন, তাহলে উৎপাদনশীলতা 35% বৃদ্ধি পেতে পারে। পূর্বে, Samsung 3nm প্রক্রিয়ায় যাওয়ার সময় সঞ্চয় এবং উত্পাদনশীলতা লাভ দেখেছিল তালিকাভুক্ত কমা দ্বারা বিভক্ত। দেখা গেল এটি হয় এক বা অন্য।

কোম্পানিটি 3nm প্রক্রিয়া প্রযুক্তিকে জনপ্রিয় করার জন্য স্বাধীন চিপ ডেভেলপার এবং ফ্যাবলেস কোম্পানিগুলির জন্য একটি পাবলিক ক্লাউড প্ল্যাটফর্মের প্রস্তুতিকে একটি গুরুত্বপূর্ণ বিষয় বলে মনে করে। স্যামসাং প্রোডাকশন সার্ভারে ডেভেলপমেন্ট এনভায়রনমেন্ট, প্রোজেক্ট ভেরিফিকেশন এবং লাইব্রেরি লুকিয়ে রাখে নি। SAFE (স্যামসাং অ্যাডভান্সড ফাউন্ড্রি ইকোসিস্টেম ক্লাউড) প্ল্যাটফর্ম সারা বিশ্বের ডিজাইনারদের জন্য উপলব্ধ হবে৷ SAFE ক্লাউড প্ল্যাটফর্মটি Amazon Web Services (AWS) এবং Microsoft Azure-এর মতো প্রধান পাবলিক ক্লাউড পরিষেবাগুলির অংশগ্রহণে তৈরি করা হয়েছিল। Cadence এবং Synopsys থেকে ডিজাইন সিস্টেমের বিকাশকারীরা SAFE এর মধ্যে তাদের ডিজাইন টুল প্রদান করেছে। এটি Samsung প্রক্রিয়াগুলির জন্য নতুন সমাধান তৈরি করা সহজ এবং সস্তা করার প্রতিশ্রুতি দেয়।

Samsung এর 3nm প্রক্রিয়া প্রযুক্তিতে ফিরে আসা যাক, যোগ করা যাক যে কোম্পানিটি তার চিপ ডেভেলপমেন্ট প্যাকেজের প্রথম সংস্করণ উপস্থাপন করেছে - 3nm GAE PDK সংস্করণ 0.1। এটির সাহায্যে, আপনি আজই 3nm সমাধানগুলি ডিজাইন করা শুরু করতে পারেন, বা কমপক্ষে এই Samsung প্রক্রিয়াটি যখন এটি ব্যাপক হয়ে যায় তখন তা পূরণ করার জন্য প্রস্তুত।

স্যামসাং তার ভবিষ্যৎ পরিকল্পনা নিম্নরূপ ঘোষণা করেছে। এই বছরের দ্বিতীয়ার্ধে, 6nm প্রক্রিয়া ব্যবহার করে চিপগুলির ব্যাপক উত্পাদন চালু করা হবে। একই সময়ে, 4nm প্রক্রিয়া প্রযুক্তির উন্নয়ন সম্পন্ন করা হবে। 5nm প্রক্রিয়া ব্যবহার করে প্রথম স্যামসাং পণ্যগুলির বিকাশ এই শরত্কালে সম্পন্ন হবে, আগামী বছরের প্রথমার্ধে উত্পাদন শুরু হবে। এছাড়াও, এই বছরের শেষ নাগাদ, Samsung 18FDS প্রক্রিয়া প্রযুক্তি (FD-SOI ওয়েফারগুলিতে 18 nm) এবং 1-Gbit eMRAM চিপগুলির বিকাশ সম্পূর্ণ করবে৷ 7 এনএম থেকে 3 এনএম পর্যন্ত প্রক্রিয়া প্রযুক্তিগুলি ক্রমবর্ধমান তীব্রতার সাথে EUV স্ক্যানার ব্যবহার করবে, প্রতিটি ন্যানোমিটার গণনা করবে। আরও নামার পথে, লড়াইয়ের সাথে প্রতিটি পদক্ষেপ নেওয়া হবে।

উত্স: 3dnews.ru