বছরের শেষে, চীনা নির্মাতা চ্যাংজিন মেমরি 8-গিবিট LPDDR4 চিপ উত্পাদন শুরু করবে

তাইওয়ানের শিল্প সূত্রে জানা গেছে, যা উল্লেখ করে ইন্টারনেট রিসোর্স ডিজিটাইমস, চাইনিজ মেমরি প্রস্তুতকারক চ্যাংক্সিন মেমরি টেকনোলজিস (সিএক্সএমটি) LPDDR4 মেমরির ব্যাপক উৎপাদনের জন্য লাইন প্রস্তুত করছে। চ্যাংক্সিন, ইনোট্রন মেমরি নামেও পরিচিত, বলা হয় যে 19nm প্রযুক্তি ব্যবহার করে নিজস্ব DRAM উৎপাদন প্রক্রিয়া তৈরি করেছে।

তার প্রথম 300 মিমি এন্টারপ্রাইজে মেমরির বাণিজ্যিক উত্পাদনের জন্য, চ্যাংজিনকে করতে হয়েছিল এগিয়ে যান 2019 এর প্রথমার্ধে। হায়রে, এটা এখনও ঘটেনি। কিন্তু 8-Gbit DDR4 LPDDR4 চিপ উৎপাদন শুরু করার সাথে সাথে প্রতি মাসে 20 হাজার 300-nm সিলিকন ওয়েফারের ক্ষমতা সম্প্রসারণ করা হবে। ChangXin এন্টারপ্রাইজে লাইনের সর্বোচ্চ ক্ষমতা প্রতি মাসে 125 হাজার 300 মিমি ওয়েফারে পৌঁছেছে। তবে এটিও সীমা নয়। কোম্পানি বলেছে যে এটি 300 মিমি মেমরি ওয়েফার প্রক্রিয়া করার জন্য আগামী বছর একটি দ্বিতীয় প্ল্যান্ট নির্মাণ শুরু করবে।

একই সময়ে, এই চীনা নির্মাতা ভিন্ন ধরনের সমস্যার সম্মুখীন হতে পারে। আমাদের স্মরণ করা যাক যে প্রথম চীনা কোম্পানি যেটি DRAM মেমরির ব্যাপক উত্পাদন শুরু করতে যাচ্ছিল সে ছিল ফুজিয়ান জিনহুয়া। নিষেধাজ্ঞার তালিকায় অন্তর্ভুক্ত ছিল আমেরিকান অংশীদারদের থেকে উত্পাদন সরঞ্জাম ক্রয়ের উপর নিষেধাজ্ঞা সহ মার্কিন যুক্তরাষ্ট্র। তাইওয়ানে, তারা বিশ্বাস করে যে চ্যাংজিন ফুজিয়ানের মতো একই সমস্যার মুখোমুখি হবে। এছাড়াও, এটি জাপানি এলপিডার প্রাক্তন তাইওয়ানি সহায়ক সংস্থা থেকে যোগ্য প্রকৌশলী নিয়োগ করেছিল, যার ব্যবসা আমেরিকান মাইক্রন দ্বারা শোষিত হয়েছিল। বিশ্লেষকরা মাইক্রোনের কাছ থেকে চ্যাংজিনের বিরুদ্ধে দাবি এবং চীনা পক্ষ সাড়া না দিলে নিষেধাজ্ঞার প্রত্যাশা করছেন।

সমান্তরালভাবে, ChangXin 17 এনএম স্ট্যান্ডার্ডের সাথে মেমরি তৈরির জন্য একটি প্রযুক্তিগত প্রক্রিয়া তৈরি করছে। 2021 সালে উন্নয়নের সমাপ্তি প্রত্যাশিত৷ সম্ভবত, দ্বিতীয় চ্যাংক্সিন প্ল্যান্টটি এই মানগুলির সাথে DRAM স্ফটিক উত্পাদনের সাথে কাজ শুরু করবে। যদি না, অবশ্যই, মার্কিন নিষেধাজ্ঞা এবং মাইক্রনের ষড়যন্ত্র তার পথে একটি অনতিক্রম্য বাধা হয়ে দাঁড়ায়।

উত্স: 3dnews.ru