ওয়েস্টার্ন ডিজিটাল এবং তোশিবা প্রতি কক্ষে লেখা পাঁচ বিট ডেটা সহ ফ্ল্যাশ মেমরি প্রস্তাব করেছে

এক কদম আগে, দুই কদম পেছনে। যদি প্রতিটিতে 16 বিট লেখা একটি NAND ফ্ল্যাশ সেল সম্পর্কে আপনি শুধু স্বপ্ন দেখতে পারেন, তাহলে আমরা একটি ঘরে পাঁচটি বিট লেখার বিষয়ে কথা বলতে পারি এবং করা উচিত। এবং তারা বলে. ফ্ল্যাশ মেমরি সামিট 2019 এ, তোশিবা উপস্থাপন NAND QLC মেমরির উৎপাদন আয়ত্ত করার পর পরবর্তী ধাপ হিসেবে একটি 5-বিট NAND PLC সেল প্রকাশ করার ধারণা।

NAND PLC মেমরিতে রূপান্তর NAND QLC এর তুলনায় ফ্ল্যাশ অ্যারেগুলির ক্ষমতাতে আরও 25% যোগ করবে। প্রায় নীলের বাইরে এবং একই অর্থের জন্য, একটি 256 জিবি এসএসডি একটি 320 জিবিতে পরিণত হবে। যাইহোক, ফ্ল্যাশ মেমরির পরিধান প্রতিরোধ, নির্ভরযোগ্যতা এবং গতি ক্ষতিগ্রস্ত হবে। এতে শিল্প বন্ধ হওয়ার সম্ভাবনা নেই। এটা ঠিক যে NAND PLC মেমরি সহ ড্রাইভগুলি সেই সমাধানগুলির কেন্দ্রবিন্দুতে থাকবে যেখানে ঘন ঘন পুনর্লিখনের প্রয়োজন হয় না, তবে অ্যাক্সেসের গতি গুরুত্বপূর্ণ। উদাহরণস্বরূপ, সংরক্ষণাগার রেকর্ড করার জন্য। সে একই গেটে খেলে জোন রেকর্ডিং প্রযুক্তি, যখন সঙ্গীত, চলচ্চিত্র এবং অন্যান্য বিভাগের ডেটা তাদের পূর্বনির্ধারিত মেমরি এলাকায় কঠোরভাবে রেকর্ড করা হয়।

NAND PLC মেমরির প্রত্যাশিত পরিধান প্রতিরোধ ক্ষমতা 10 এনএম ক্লাস প্রক্রিয়া প্রযুক্তির জন্য 70টি পুনর্লিখন (মুছে ফেলা) চক্র থেকে 35 চক্রে হ্রাস পাবে। 3D NAND মেমরির জন্য, এই সংখ্যাগুলি বেশি হতে পারে, কারণ এটির উত্পাদন বড় প্রযুক্তিগত প্রক্রিয়া ব্যবহার করে। আরো জটিল ত্রুটি সংশোধন ব্লকের পরিপ্রেক্ষিতে কন্ট্রোলারকে আরও জটিল করে চক্রের সংখ্যা বাড়ানো যেতে পারে, তবে কন্ট্রোলারের ইতিমধ্যেই একটি QLC কক্ষে 16-স্তরের সংকেত নয়, একটি 32-স্তরের সংকেত ডিকোড করার কাজ থাকবে। পিএলসি সেল।

আপনাকে এটাও বুঝতে হবে যে QLC সেলের তুলনায় PLC সেলে চার্জ করার (লেভেল রেকর্ডিং) জন্য আরও কম জায়গা থাকবে, অথবা 32-স্তরের রেকর্ডিংয়ের জন্য সেল এরিয়া বাড়াতে হবে। এটি করা না হলে, রেকর্ডিংয়ের নির্ভরযোগ্যতা হ্রাস পাবে বা নিয়ামক আরও জটিল হয়ে উঠবে। এক কথায় বলতে গেলে কিছু কথা আছে। যদি শিল্পটি একটি পাঁচ-বিট সেল দিয়ে মেমরিতে স্যুইচ করার সিদ্ধান্ত নেয় তবে এটি 2021 সাল পর্যন্ত ঘটবে না।

উত্স: 3dnews.ru