স্যামসাং ট্রানজিস্টর সম্পর্কে কথা বলেছে যা ফিনএফইটি প্রতিস্থাপন করবে

অনেকবার রিপোর্ট করা হয়েছে, 5 এনএম-এর চেয়ে ছোট ট্রানজিস্টর দিয়ে কিছু করা দরকার। আজ, চিপ নির্মাতারা উল্লম্ব FinFET গেট ব্যবহার করে সবচেয়ে উন্নত সমাধান তৈরি করছে। FinFET ট্রানজিস্টর এখনও 5-nm এবং 4-nm প্রযুক্তিগত প্রক্রিয়া ব্যবহার করে তৈরি করা যেতে পারে (এই মানগুলি যাই হোক না কেন), কিন্তু ইতিমধ্যেই 3-nm সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনের পর্যায়ে, FinFET কাঠামোগুলি তাদের মতো কাজ করা বন্ধ করে দেয়। ট্রানজিস্টরগুলির গেটগুলি খুব ছোট এবং ট্রানজিস্টরগুলি সমন্বিত সার্কিটে গেট হিসাবে তাদের কাজ চালিয়ে যাওয়ার জন্য নিয়ন্ত্রণ ভোল্টেজ যথেষ্ট কম নয়। অতএব, শিল্প এবং, বিশেষ করে, স্যামসাং, 3nm প্রক্রিয়া প্রযুক্তি থেকে শুরু করে, রিং বা অল-কম্পাসিং GAA (গেট-অল-অ্যারাউন্ড) গেট সহ ট্রানজিস্টর উৎপাদনে স্যুইচ করবে। একটি নতুন প্রেস রিলিজের মাধ্যমে, স্যামসাং নতুন ট্রানজিস্টরের গঠন এবং সেগুলি ব্যবহারের সুবিধা সম্পর্কে একটি ভিজ্যুয়াল ইনফোগ্রাফিক উপস্থাপন করেছে।

উপরের দৃষ্টান্তে যেমন দেখানো হয়েছে, উৎপাদনের মান কমে যাওয়ায়, গেটগুলি প্ল্যানার স্ট্রাকচার থেকে বিবর্তিত হয়েছে যা গেটের নীচে একটি এলাকা নিয়ন্ত্রণ করতে পারে, তিন দিকে একটি গেট দ্বারা বেষ্টিত উল্লম্ব চ্যানেলগুলিতে এবং অবশেষে গেট দ্বারা বেষ্টিত চ্যানেলগুলির কাছাকাছি চলে গেছে। সব চার দিকে। এই পুরো পথটি নিয়ন্ত্রিত চ্যানেলের চারপাশে গেট এলাকা বৃদ্ধির সাথে ছিল, যা ট্রানজিস্টরগুলির বর্তমান বৈশিষ্ট্যগুলির সাথে আপস না করে ট্রানজিস্টরগুলিতে বিদ্যুৎ সরবরাহ হ্রাস করা সম্ভব করে তোলে, তাই ট্রানজিস্টরগুলির কার্যকারিতা বৃদ্ধির দিকে পরিচালিত করে। এবং ফুটো স্রোত হ্রাস। এই বিষয়ে, GAA ট্রানজিস্টরগুলি সৃষ্টির একটি নতুন মুকুট হয়ে উঠবে এবং ক্লাসিক্যাল CMOS প্রযুক্তিগত প্রক্রিয়াগুলির উল্লেখযোগ্য পুনর্নির্মাণের প্রয়োজন হবে না।

গেট দ্বারা বেষ্টিত চ্যানেলগুলি পাতলা সেতু (ন্যানোয়ার) আকারে বা চওড়া সেতু বা ন্যানোপেজ আকারে উত্পাদিত হতে পারে। স্যামসাং ন্যানোপেজগুলির পক্ষে তার পছন্দ ঘোষণা করে এবং পেটেন্টের মাধ্যমে এর বিকাশকে রক্ষা করার দাবি করে, যদিও এটি আইবিএম এবং অন্যান্য সংস্থাগুলির সাথে একটি জোটে প্রবেশ করার সময় এই সমস্ত কাঠামো তৈরি করেছে, উদাহরণস্বরূপ, এএমডি-র সাথে। স্যামসাং নতুন ট্রানজিস্টরকে GAA বলবে না, কিন্তু মালিকানার নাম MBCFET (মাল্টি ব্রিজ চ্যানেল FET)। প্রশস্ত চ্যানেল পৃষ্ঠাগুলি উল্লেখযোগ্য স্রোত সরবরাহ করবে, যা nanowire চ্যানেলের ক্ষেত্রে অর্জন করা কঠিন।

রিং গেটে রূপান্তর নতুন ট্রানজিস্টর কাঠামোর শক্তি দক্ষতাও উন্নত করবে। এর মানে হল যে ট্রানজিস্টরগুলিতে সরবরাহের ভোল্টেজ হ্রাস করা যেতে পারে। FinFET স্ট্রাকচারের জন্য, কোম্পানি শর্তসাপেক্ষ শক্তি হ্রাস থ্রেশহোল্ডকে 0,75 V বলে। MBCFET ট্রানজিস্টরের রূপান্তর এই সীমাকে আরও কম করবে।

কোম্পানি MBCFET ট্রানজিস্টরের পরবর্তী সুবিধাকে সমাধানের অসাধারণ নমনীয়তা বলে। সুতরাং, যদি উৎপাদন পর্যায়ে FinFET ট্রানজিস্টরের বৈশিষ্ট্যগুলিকে শুধুমাত্র বিচ্ছিন্নভাবে নিয়ন্ত্রণ করা যায়, প্রতিটি ট্রানজিস্টরের জন্য প্রকল্পে একটি নির্দিষ্ট সংখ্যক প্রান্ত স্থাপন করা হয়, তাহলে MBCFET ট্রানজিস্টরগুলির সাথে সার্কিট ডিজাইন করা প্রতিটি প্রকল্পের জন্য সেরা টিউনিংয়ের মতো হবে। এবং এটি করা খুব সহজ হবে: ন্যানোপেজ চ্যানেলগুলির প্রয়োজনীয় প্রস্থ নির্বাচন করার জন্য এটি যথেষ্ট হবে এবং এই প্যারামিটারটি রৈখিকভাবে পরিবর্তন করা যেতে পারে।

এমবিসিএফইটি ট্রানজিস্টর তৈরির জন্য, উপরে উল্লিখিত হিসাবে, কারখানাগুলিতে ইনস্টল করা ক্লাসিক CMOS প্রক্রিয়া প্রযুক্তি এবং শিল্প সরঞ্জামগুলি উল্লেখযোগ্য পরিবর্তন ছাড়াই উপযুক্ত। শুধুমাত্র সিলিকন ওয়েফারের প্রক্রিয়াকরণ পর্যায়ে ছোটখাটো পরিবর্তনের প্রয়োজন হবে, যা বোধগম্য এবং এটিই। যোগাযোগ গোষ্ঠী এবং ধাতবকরণ স্তরগুলির অংশে, আপনাকে কিছু পরিবর্তন করতে হবে না।

উপসংহারে, স্যামসাং প্রথমবারের মতো 3nm প্রক্রিয়া প্রযুক্তি এবং এমবিসিএফইটি ট্রানজিস্টরগুলির পরিবর্তনের সাথে যে উন্নতিগুলি আনবে তার একটি গুণগত বিবরণ দেয় (স্পষ্ট করার জন্য, স্যামসাং সরাসরি 3nm প্রক্রিয়া প্রযুক্তির কথা বলছে না, তবে এটি আগে রিপোর্ট করেছে যে 4nm প্রক্রিয়া প্রযুক্তি এখনও FinFET ট্রানজিস্টর ব্যবহার করবে)। সুতরাং, 7nm FinFET প্রক্রিয়া প্রযুক্তির তুলনায়, নতুন আদর্শে চলে যাওয়া এবং MBCFET ব্যবহারে 50% হ্রাস, কর্মক্ষমতা 30% বৃদ্ধি এবং চিপ এলাকায় 45% হ্রাস প্রদান করবে। "হয়, বা" নয়, তবে সামগ্রিকভাবে। এটা কখন ঘটবে? এটি 2021 সালের শেষের দিকে ঘটতে পারে।

উত্স: 3dnews.ru