Francuzi su predstavili GAA tranzistor sa sedam nivoa sutrašnjice
Dugo nije bila tajna da će se sa 3nm procesnom tehnologijom tranzistori kretati od vertikalnih FinFET kanala „fin“ ka horizontalnim nanopage kanalima potpuno okruženim gejtovima ili GAA (gate-all-around). Danas je francuski institut CEA-Leti pokazao kako se proizvodni procesi FinFET tranzistora mogu koristiti za proizvodnju GAA tranzistora na više nivoa. A održavanje kontinuiteta tehničkih procesa je pouzdana osnova za brzu transformaciju. Za VLSI Technology & Circuits Simpozijum […]