Els propers iPhones no es llançaran fins al setembre, però l'any passat van començar a aparèixer filtracions sobre nous telèfons intel·ligents d'Apple. Els esquemes de l'iPhone XI i l'iPhone XI Max (els anomenarem així) ja s'han publicat, suposadament filtrats en línia directament des de la fàbrica. Ara suposadament estem parlant de espais en blanc per als futurs iPhones utilitzats pel fabricant de la funda i pot aportar més llum sobre els productes.
Si s'han de creure aquests materials sobre la família d'iPhone 2019, sembla que Apple té com a objectiu diferenciar els seus telèfons intel·ligents tant com sigui possible dels seus competidors. Per aconseguir-ho, l'empresa els equiparà (almenys l'iPhone XI i l'iPhone XI Max) amb una disposició de càmera posterior triangular estranya i única en el seu tipus.
Tot i que aquesta configuració encara no ha estat aprovada definitivament pel fabricant (hi ha hagut filtracions que indiquen una altra opció), fins ara ho és. per a la família d'iPhone 2019. Com podeu veure, hi ha una càmera posterior triple a la cantonada superior del telèfon intel·ligent. Si mireu bé les imatges, notareu que el logotip d'Apple no està al lloc correcte i que la inscripció de l'iPhone es fa de manera diferent als dos espais en blanc. Així doncs, podem parlar de formes més aviat convencionals de futurs telèfons intel·ligents (no obstant això, haurien de ser prou suficients per provar casos).
Segons s'informa, Apple afegirà una tercera càmera a les seves dues càmeres existents aquest any, amb una lent ultra gran angular. Tindrà una obertura f/2,2 i el proveïdor principal serà Genius Electric Optical. A part d'això, Apple només farà un canvi a les capacitats de la matriu de càmeres posteriors: suposadament augmentarà l'àrea de píxels del sensor de la càmera principal, de manera que la sensibilitat augmentarà.
En general, els informes actuals sobre la família d'iPhone 2019 no provoquen gaire optimisme: de fet, parlarem del desenvolupament de l'iPhone 2018. El SoC serà nou, però encara serà de 7 nm (tot i que el procés de TSMC millorarà lleugerament amb la litografia ULV).
Font: 3dnews.ru