Segons la declaració oficial d'IBM, l'empresa va inventar la memòria MRAM magnetoresistiva el 1996. El desenvolupament va aparèixer després d'estudiar estructures de pel·lícula fina per a plaques magnètiques i capçals magnètics de discs durs. L'efecte de les unions de túnels magnètics descoberts pels enginyers de l'empresa va provocar la idea d'utilitzar el fenomen per organitzar cèl·lules de memòria semiconductors. Inicialment, IBM va desenvolupar la memòria MRAM juntament amb Motorola. Aleshores, les llicències es van vendre a Micron, Toshiba, TDK, Infineon i moltes altres empreses. Per què aquesta excursió a la història? Va resultar que Seagate, un dels dos fabricants de discs durs que queden al món, té patents àmplies sobre tecnologies de producció MRAM.
Ahir Seagate , que té un ampli acord de llicència creuada per compartir patents i llicències entre ella i Everspin Technologies. S'afirma que Seagate i Everspin han dedicat anys a la recerca i el desenvolupament que seran extremadament beneficiosos per a cadascuna de les parts oposades. Així, Seagate va transferir a Everspin els drets per utilitzar els seus propis desenvolupaments en el camp de la MRAM, i Everspin va permetre a Seagate utilitzar les seves tecnologies en la producció de capçals magnètics basats en l'efecte Tunneling Magneto Resistance (TMR).
En essència, Seagate i Everspin han alineat una base de patents que pot ajudar a cadascun d'ells avançar en els seus respectius camps. Les llicències d'Everspin ajudaran a Seagate a millorar els capçals magnètics per als discs durs, i les llicències de Seagate no interferiran amb el desenvolupament i la producció de MRAM d'Everspin. A l'agost, Everspin només la producció massiva de xips STT-MRAM d'1 Gbit i possibles disputes de llicència amb Seagate només perjudicarien aquesta àrea encara poc desenvolupada de producció de memòria de semiconductors.
Font: 3dnews.ru