SK Hynix va trigar menys d'un any a passar de l'etapa de finalització Memòria HBM2E a la seva producció en massa. Però el més important no és ni tan sols aquesta sorprenent eficiència, sinó les característiques de velocitat úniques dels nous xips HBM2E. El rendiment dels xips HBM2E SK Hynix arriba als 460 GB/s per xip, que és 50 GB/s superior a les xifres anteriors.
S'hauria de produir un salt significatiu en el rendiment de la memòria HBM quan es canvia a o HBM3. Aleshores, la velocitat d'intercanvi augmentarà a 820 GB/s. Mentrestant, el buit s'omplirà amb xips de SK Hynix, la velocitat d'intercanvi dels quals per a cada sortida és de 3,6 Gbit/s. Cadascun d'aquests microcircuits està muntat a partir de vuit cristalls (capes). Si tenim en compte que cada capa conté un cristall de 16 Gbit, la capacitat total dels nous xips és de 16 GB.
La memòria amb una combinació similar de característiques comença a ser demandada i rellevant per crear solucions en l'àmbit de l'aprenentatge automàtic i la intel·ligència artificial. Va sorgir del camp de les targetes de vídeo de jocs, on en un moment va començar gràcies a les targetes de vídeo d'AMD. Avui, l'objectiu principal de la memòria HBM és la informàtica d'alt rendiment i la IA.
"SK Hynix està a l'avantguarda de la innovació tecnològica que contribueix a la civilització humana mitjançant èxits, inclòs el primer desenvolupament de producte HBM del món", va dir Jonghoon Oh, vicepresident executiu i director de màrqueting (CMO) de SK Hynix. "Amb la producció a gran escala de HBM2E, continuarem reforçant la nostra presència al mercat de la memòria premium i liderant la quarta revolució industrial".
Font:
Font: 3dnews.ru