Els semiconductors de potència augmenten les coses. En lloc de silici, s'utilitza nitrur de gal·li (GaN). Els inversors i les fonts d'alimentació GaN funcionen amb una eficiència de fins al 99%, oferint la màxima eficiència als sistemes energètics, des de les centrals elèctriques fins als sistemes d'emmagatzematge i utilització d'electricitat. Els líders del nou mercat són empreses dels EUA, Europa i Japó. Ara a aquesta zona la primera empresa de la Xina.
Recentment, el fabricant de gadgets xinès ROCK va llançar el primer carregador que admet la càrrega ràpida en un "xip xinès". La solució generalment convencional es basa en el conjunt de potència GaN de la sèrie InnoGaN d'Inno Science. El xip es fa amb el factor de forma estàndard DFN 8x8 per a fonts d'alimentació compactes.
El carregador 2W ROCK 1C65AGaN és més compacte i més funcional que el carregador Apple 61W PD (comparació a la foto de dalt). El carregador xinès pot carregar simultàniament tres dispositius mitjançant dues interfícies USB tipus C i una interfície USB tipus A. En el futur, ROCK té previst llançar versions de carregadors ràpids amb una potència de 100 i 120 W en conjunts de GaN xinesos. A més, uns 10 fabricants xinesos de carregadors i fonts d'alimentació cooperen amb el fabricant d'elements d'alimentació GaN, Inno Science.
La recerca d'empreses xineses i, en particular, de l'empresa Inno Science en el camp dels components d'energia GaN pretén conduir a la independència de la Xina dels proveïdors estrangers de solucions similars. Inno Science té el seu propi centre de desenvolupament i laboratori per a un cicle complet de solucions de prova. Però el més important és que té dues línies de producció per produir solucions de GaN en hòsties de 200 mm. Per al món i fins i tot per al mercat xinès, això és una gota a l'oceà. Però has de començar per algun lloc.
Font: 3dnews.ru